最佳 EMI 性能的另一個(gè)關(guān)鍵特性是優(yōu)化引腳排列的能力。LM60440 器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化的引腳排列如圖 2-5 中所示。LM60440 具有用于輸入電源的并行引腳以及 GND 引腳，可實(shí)現(xiàn)高頻輸入電容器的對(duì)稱放置，并將兩個(gè)相等的并聯(lián)電感的等效寄生環(huán)路電感減半。因此，循環(huán)輸入電流會(huì)產(chǎn)生反向磁場(chǎng)，從而消除 H 場(chǎng)并減少輻射發(fā)射。此外，通過(guò)執(zhí)行高 di/dt 輸入環(huán)路的對(duì)稱布局，產(chǎn)生的（反向）磁場(chǎng)可以相互抵消。為了進(jìn)一步降低寄生電感，請(qǐng)?jiān)?PCB 第 2 層的 L1 和 L2 環(huán)路下方（頂層電源電路正下方）放置一個(gè)連續(xù)的接地平面，用于返回電流（圖 2-8）。此外，LM60440 器件能方便地在內(nèi)部路由開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳。第二個(gè)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳與 BOOT 引腳（內(nèi)部高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的自舉電源電壓）緊鄰放置。這簡(jiǎn)化了啟動(dòng)電容器的布線并減小了 SW 面積。啟動(dòng)電容器和 VCC 電容器的緊鄰放置降低了柵極驅(qū)動(dòng)器電路和在 MOSFET 開(kāi)關(guān)期間承載高頻電流的換向電源環(huán)路的寄生電感，最終減少了傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。

圖 2-7 LM604x0 引腳排列

圖 2-8 具有并行輸入環(huán)路的 LM604x0 布局

LM60440 經(jīng)過(guò)優(yōu)化的引腳排列可實(shí)現(xiàn)密集布局和緊湊型整體解決方案尺寸（圖 2-9）。

圖 2-9 LM60440AQEVM 解決方案尺寸