13 修訂歷史記錄

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (February 2021)to RevisionE (November 2024)

• 將 CMTI 從大于 100V/ns 更改為大于 125V/nsGo
• 將傳播延遲從 40ns（最大值）更改為 33ns（典型值）Go
• 刪除了關(guān)于 5ns 最大延遲匹配的要點(diǎn)Go
• 將最大脈寬失真從 5.5ns 更改為 6nsGo
• 將 VDD 上電延遲最大值 35us 更改為 10us 最大值Go
• 將認(rèn)證更新為最新標(biāo)準(zhǔn)Go
• 根據(jù)最新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和德州儀器 (TI) 數(shù)據(jù)表標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了更新。Go
• 將 CMTI 最小值從 100V/ns 更改為 125V/nsGo
• 刪除了關(guān)于抑制短于 5ns 的輸入瞬變的句子Go
• 將輸入引腳的負(fù)電壓處理能力從 -2V（持續(xù) 200ns）更改為 -5V（持續(xù) 50ns）Go
• 將原理圖 DT 電容器大小從 >= 2.2nF 更改為 <=1nFGo
• 更改了建議的 DT 引腳條件和 DT 引腳上的電容器大小Go
• 將 VCCI absmax 從 6V 更改為 20VGo
• 將 VDDA-VSSA 和 VDDB-VSSB absmax 從 20V 更改為 30VGo
• 將所有 -0.5V 最小值更改為 -0.3V，以與新發(fā)布的數(shù)據(jù)表保持一致Go
• 將所有絕對(duì)最大值從 +0.5V 電源更改為 +0.3V 電源，以與新發(fā)布的數(shù)據(jù)表保持一致Go
• 將輸入信號(hào)電壓瞬態(tài)測試條件更改為 50ns 并將絕對(duì)最小值更改為 -5VGo
• 將 ESD 規(guī)格從“HBM = ±4000”和“CDM = ±1500”更新為“HBM = ±2000”和“CDM = ±1000”，以便符合 ESD 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Go
• 將 VCCI 建議最大值從 5.5V 更改為 18VGo
• 將 VDDA-VSSA 和 VDDB-VSSB 的建議最大值從 18V 更改為 25VGo
• 將 5V-UVLO 建議的 VDDA/B 電壓最小值從 6V 更改為 6.5VGo
• 刪除了環(huán)境溫度規(guī)格Go
• 將結(jié)溫最大值從 130°C 更改為 150°CGo
• 將 DWK 值從 RθJA = 69.7°C/W、RθJC(top) = 33.1°C/W、RθJB = 29.0°C/W、ψJT = 20.0°C/W、ψJB = 28.3°C/W 更新為 RθJA = 74.1°C/W、RθJC(top) = 34.1°C/W、RθJB = 32.8°C/W、ψJT = 23.7°C/W、ψJB = 32.1°C/WGo
• 添加了 DW 封裝的熱性能信息Go
• 將值從 PD = 1775mW、PDI = 15mW、PDA/PDB = 450mW 更新為 PD = 950mW、PDI = 50mW、PDA/PDB = 450mW更改了測試條件。Go
• 添加了 VIMP = 7692Vpk，并根據(jù)最新的絕緣標(biāo)準(zhǔn)將 Viosm 從 8000V 更改為 10000VGo
• 刪除了“安全相關(guān)認(rèn)證”部分Go
• 將 DWK 值從 IS = 73mA、PS = 15mW/880mW/880mW/1775mW 更新為 IS = 66mA、PS = 50mW/800mW/800mW/1650mWGo
• 添加了 DW 安全限值Go
• 將測試條件從 VDDA = VDDB = 12V 更改為 VDDA = VDDB = 15VGo
• 將 IVDDA/IVDDB 靜態(tài)電流規(guī)格最大值從 1.8mA 更新為 2.5mAGo
• 將 IVCCI 工作電流典型值從 2.5mA 更新為 3.0mA，并添加了最大值 3.5mAGo
• 添加了 IVDDA/IVDDB 工作電流最大值 = 4.2mAGo
• 將上升閾值最小值 5.0V、典型值 5.5V、最大值 5.9V 更新為最小值 5.7V、典型值 6.0V、最大值 6.3VGo
• 將下降閾值最小值 4.7V、典型值 5.2V、最大值 5.6V 更新為最小值 5.4V、典型值 5.7V、最大值 6.0VGo
• 將 8V UVLO 遲滯典型值從 0.5V 更新為 0.6VGo
• 將上升閾值最小值 8V、典型值 8.5V、最大值 9V 更新為最小值 7.7V、典型值 8.5V、最大值 8.9VGo
• 將上升閾值最小值 7.5V、典型值 8V、最大值 8.5V 更新為最小值 7.2V、典型值 7.9V、最大值 8.4VGo
• 將輸入高電平閾值最小值從 1.6V 更新為 1.2VGo
• 將輸入低電平閾值最大值從 1.25V 更新至 1.2VGo
• 刪除了 UCC21540/2 的峰值電流最小值Go
• 刪除了 UCC21540/2 的輸出電阻最大值Go
• 刪除了高電平狀態(tài)時(shí)的輸出電壓最小值。將典型值從 11.95V 更改為 14.95V。將 UCC21540/2 的測試條件從 VDD = 12V 更改為 VDD = 15VGo
• 刪除了低電平狀態(tài)的輸出電壓最大值。將 UCC21540/2 的測試條件從 VDD = 12V 更改為 VDD = 15VGo
• 將驅(qū)動(dòng)器有源下拉典型值從 1.75V 更改為 1.6V，并將最大值從 2.1V 更改為 2V。Go
• 刪除了死區(qū)時(shí)間匹配行Go
• 將測試條件從 VDDA = VDDB = 12V 更改為 VDDA = VDDB = 15VGo
• 刪除了最小輸入脈寬典型值Go
• 將傳播延遲 TPDHL 和 TPDLH 從典型值 28ns、最大值 40ns 更改為最小值 26ns、典型值 33ns、最大值 45nsGo
• 將 UCC21540/2 的脈寬失真最大值從 5.5ns 更改為 6nsGo
• 將傳播延遲匹配從 TJ = -40C 至 -10C 時(shí)最大值 = 6.5ns 更改為 TJ = -10C 至 150C 時(shí)最大值 = 5nsGo
• 刪除了 VCCI 上電延遲（典型值為 40us），并將最大值從 59us 更改為 50usGo
• 刪除了 VDD 上電延遲（典型值為 23us），并將最大值從 35us 更改為 10usGo
• 將 CMTI 最小值從 100V/ns 更新至 125V/nsGo
• 更新了熱曲線以匹配更新后的特性Go
• 更新了典型特性圖以顯示器件特性Go
• 刪除了關(guān)于抗尖峰脈沖濾波器的措辭。將最小脈寬從 10ns（典型值）更改為 20ns（最大值）。Go
• 將建議放置的去耦電容器從 2.2nF 或更高更改為 ≤1nFGo
• 更改了 UVLO 延遲時(shí)間Go
• 更新了功能方框圖Go
• 將鉗位電壓典型值從 1.75V 更改為 1.6VGo
• 將 DIS 下拉電阻器大小從 50kΩ 更改為 200kΩGo
• 向“輸出級(jí)”部分添加了關(guān)于最小脈寬的段落Go
• 更新了 ESD 二極管結(jié)構(gòu)Go
• 刪除了由于數(shù)據(jù)表草稿錯(cuò)誤而導(dǎo)致的不完整句子Go
• 將 DT 電容建議從 >=2.2nF 更改為 <=1nFGo
• 刪除了關(guān)于 DT 引腳穩(wěn)態(tài)電壓的句子Go
• 更改了應(yīng)用原理圖中的 DT 電容器大小Go
• 將 DT 電容器大小從 2.2nF 更改為 <=1nFGo
• 將 DT 電容建議從 >=2.2nF 更改為 <=1nFGo