ZHCSST0C June 2024 – April 2025 TPS7H6005-SEP , TPS7H6005-SP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6015-SP , TPS7H6025-SEP , TPS7H6025-SP
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盡管增強模式 GaN FET 不像硅 FET 那樣包含體二極管，但由于采用對稱器件結構，這些器件能夠反向導通。反向導通期間，GaN FET 的源漏電壓通常高于傳統(tǒng)硅 FET 的源漏電壓，這在很大程度上取決于所使用的 GaN 器件類型。因此，驅動器的開關節(jié)點引腳（ASW 和 PSW，統(tǒng)稱為 SW）存在負電壓。由于 BOOT 始終以 SW 為基準，所以這種負瞬變可能會導致自舉電壓過大。此外，印刷電路板布局布線和器件寄生電感可以進一步加強負電壓瞬變。在高于絕對最大值 16V 的自舉電壓下運行可能會對柵極驅動器產(chǎn)生不利影響，因此必須注意確保不超過 BOOT 至 SW 的最大電壓差。通常，BOOT 瞬間追隨 SW，以免 BOOT 至 SW 電壓顯著過沖。但是，可在 BOOT 和 SW 之間使用外部齊納二極管，以在運行期間將自舉電壓鉗到可接受的值。