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封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DCA|56

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

9.2.2.1 自舉電容器和旁路電容器

在正常運(yùn)行期間，外部自舉電容器需要保持在 BOOT UVLO 下降閾值以上運(yùn)行。最佳設(shè)計(jì)實(shí)踐是，調(diào)整電容器的大小，以便為該閾值留出顯著的裕度。確定自舉電容值的第一步是計(jì)算 ?V_BOOT。這是自舉電容器上的最大允許壓降：

方程式 10.

{? V}_{B O O T} \approx V I N - (n \times V_{F}) - V_{B O O T_U V L O} = 12 V - (1 \times 0.9 V) - 6.65 V = 4.35 V

其中：

n 是串聯(lián)的自舉二極管的數(shù)量
V_F 是所選自舉二極管的壓降
V_{BOOT_UVLO} 是 BOOT UVLO 下降閾值電壓

為了保持顯著的裕度并考慮所用自舉電阻器上的任何額外壓降以及負(fù)載瞬變，可按照 1.5V ?V_BOOT 計(jì)算電容值。參考自舉電容器，需要首先確定 Q_total 的值，隨后可以計(jì)算 C_BOOT：

方程式 11.

Q_{t o t a l} = Q_{g} + I_{Q B G} \times \frac{D_{M A X}}{f_{S W}} + \frac{I_{Q H S}}{f_{S W}} = 10.6 n C + 20 μ A \times \frac{0.35}{500 k H z} + \frac{4 m A}{500 k H z} = 18.6 n C

方程式 12.

C_{B O O T} \geq \frac{Q_{t o t a l}}{{? V}_{B O O T}} = \frac{18.6 n C}{1.5 V} = 12.4 n F

該設(shè)計(jì)需要的最小值是 12.4nF。但是，考慮到電容可能會(huì)隨溫度和施加的電壓而變化，以及意外的電路行為（例如影響自舉充電時(shí)間的負(fù)載瞬變），因此選擇 100nF X7R 電容器。

選擇的 VIN 電容器必須大于自舉電容器。一般建議該電容至少是自舉電容值的十倍，因此在這種情況下可提供 1μF 電容。對(duì)于評(píng)估設(shè)置，在 VIN 處使用了 2.2μF 和 1μF 電容器，這兩個(gè)都是陶瓷 X7R 型電容器。建議將這些電容器和自舉電容器盡可能靠近各自的引腳放置。選擇額定電壓遠(yuǎn)大于最大施加電壓的電容器（即可能的話超過兩倍）。

最后，如線性穩(wěn)壓器運(yùn)行 中所述，選擇用于 BP5H、BP5L 和 BP7L 輸出的高質(zhì)量 1μF X7R 陶瓷電容器。將這些電容器靠近相應(yīng)的引腳放置。