ZHCSVV3B April 2024 – April 2025 TPS7H4011-SEP , TPS7H4011-SP
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低側(cè) MOSFET 可以從負(fù)載灌入電流(例如在輕負(fù)載運(yùn)行期間)。在某些情況下(例如,高電流負(fù)載突然移除或 VOUT 升高到設(shè)置點(diǎn)以上),低側(cè)灌電流可能會過大。因此,提供了低側(cè)過流灌電流保護(hù)。
如果超出低側(cè)灌電流限值,則低側(cè) MOSFET 會立即關(guān)閉并在該時(shí)鐘周期的剩余時(shí)間內(nèi)保持這一狀態(tài)。在這種情況下,兩個(gè) MOSFET 都會關(guān)閉,直到下一個(gè)周期開始為止。當(dāng)?shù)蛡?cè) MOSFET 關(guān)斷時(shí),開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓升高并正向偏置高側(cè) MOSFET 并聯(lián)體二極管(在此階段,高側(cè) MOSFET 仍處于關(guān)斷狀態(tài))。