ZHCSVV3B April 2024 – April 2025 TPS7H4011-SEP , TPS7H4011-SP
PRODMIX
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件選項(xiàng)表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- HLB|30
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.3.9.1.2 高側(cè) 2 過流保護(hù) (HS2)
有時，HS1 電流限值不足以保護(hù)器件。例如，短路可能會非常激進(jìn)，即使高側(cè)僅在最短導(dǎo)通時間 tON 內(nèi)開啟，電流也會繼續(xù)上升。為降低這種風(fēng)險，TPS7H4011 實(shí)施了高側(cè)過流保護(hù) 2 (HS2) 形式的次級過流保護(hù)。
當(dāng)通過高側(cè) MOSFET 的電流達(dá)到或超過 IOC_HS2 時，達(dá)到 HS2 電流限值。為了防止電流持續(xù)增加，將跳過接下來的四個高側(cè)周期，而低側(cè) MOSFET 保持導(dǎo)通狀態(tài)，以便對電感器進(jìn)行放電。圖 8-18 展示了此操作的簡化波形。
與 IOC_HS1 電流限制類似，IOC_HS2 的限制閾值也是在開環(huán)配置下測量的，這是由于測試能力的限制，而實(shí)際的短路事件是動態(tài)的并且發(fā)生在閉環(huán)系統(tǒng)中。
圖 8-18 高側(cè) 2 過流保護(hù)正如 ILIM 引腳上的電壓會設(shè)置高側(cè) 1 電流限值一樣，它也會設(shè)置高側(cè) 2 電流限值。表 8-5 展示了使用與表 8-4 中的高側(cè) 1 電流限制值相同的建議電阻分壓器值而得到的高側(cè) 2 電流限制值。
表 8-5 ILIM 連接
| IOUT （建議的最大直流） (A) |
IOC_HS2 （典型值） (A) |
RILIM_TOP (k?) |
RILIM_BOT (k?) |
|---|---|---|---|
| 3 | 6.6 | ∞ | 0 |
| 6 | 11.1 | 100 | 49.9 |
| 9 | 17 | 49.9 | 100 |
| 12 | 23.9 | 0 | ∞ |