ZHCSWE7C May 2024 – November 2025 TPS7H1121-SEP , TPS7H1121-SP
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請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
圖 8-3 中顯示了磚墻式電流限制,也稱為恒定電流限制。在此模式下,一旦達(dá)到 IPCL 且電流限制電路有時間作出響應(yīng),則 TPS7H1121 LDO 即會進(jìn)入恒定電流調(diào)節(jié)模式。換言之,輸出電壓將降至保持輸出電流處于 ILIM 水平所需的任何值。排除故障后,器件就會恢復(fù)調(diào)節(jié)。
由于磚墻式電流限制中的高功率耗散,TPS7H1121 可能會進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài),進(jìn)而導(dǎo)致器件停止調(diào)節(jié),直至 TPS7H1121 足夠冷卻以退出熱關(guān)斷狀態(tài)。
可編程電流限制的精度隨著負(fù)載電流的增加而提高;表 8-1 展示了典型精度下的建議 E96 值。
根據(jù)規(guī)定的電流限制精度,需要選擇可編程電流限制電阻 RCL,以滿足精度負(fù)值部分電流限制電路需求。此外,建議留出 20% 余量,防止電流限制在標(biāo)稱工作條件下進(jìn)行干預(yù)。例如,標(biāo)稱負(fù)載為 1A 的應(yīng)用可能具有 1.4A/97.6kΩ 的最小可編程電流限制設(shè)置;97.6kΩ 可編程電流限制設(shè)置具有 -25% 的負(fù)精度,因此最小干預(yù)電流限制為 1.05A。
例如,對于標(biāo)稱負(fù)載為 1A 的應(yīng)用,建議最小干預(yù)電流為 1.2A;這會產(chǎn)生 1.6A 的標(biāo)稱電流限制。因此,80.6kΩ 的 RCL 設(shè)置和 -25% 的負(fù)精度會產(chǎn)生 1.2A 的最小干預(yù)電流限制,這符合 20% 余量建議。
| 陶瓷封裝標(biāo)識:HFT22 | 塑料封裝標(biāo)識:PWP24 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 可編程電流限制設(shè)置 (A) | E96 (kΩ) | 精度 | 可編程電流限制設(shè)置 (A) | E96 (kΩ) | 精度 |
| 0.32 | 442 | ±35% | 0.35 | 442 | ±50% |
| 0.4 | 392 | 0.4 | 383 | ||
| 0.5 | 332 | 0.5 | 301 | ||
| 0.6 | 267 | ±30% | 0.6 | 243 | ±40% |
| 0.7 | 205 | 0.7 | 210 | ||
| 0.75 | 174 | 0.8 | 182 | ||
| 0.8 | 169 | 0.835 | 176 | ||
| 0.9 | 158 | 0.9 | 158 | ||
| 1 | 143 | 1 | 143 | ||
| 1.1 | 133 | ±25% | 1.1 | 127 | ±30% |
| 1.2 | 121 | 1.2 | 115 | ||
| 1.3 | 110 | 1.3 | 107 | ||
| 1.4 | 97.6 | 1.4 | 97.6 | ||
| 1.5 | 88.7 | 1.5 | 90.9 | ||
| 1.55 | 82.5 | 1.6 | 84.5 | ||
| 1.6 | 80.6 | 1.66 | 82.5 | ||
| 1.7 | 78.6 | 1.8 | 75 | ||
| 1.8 | 75 | 1.9 | 71.5 | ||
| 1.9 | 71.5 | 2 | 66.5 | ||
| 2 | 69.8 | 2.1 | 63.4 | ||
| 2.1 | 66.5 | ±20% | 2.2 | 60.4 | ±25% |
| 2.2 | 63.4 | 2.3 | 57.6 | ||
| 2.3 | 60.4 | 2.4 | 54.9 | ||
| 2.4 | 57.6 | 2.5 | 52.3 | ||
| 2.5 | 54.9 | 2.6 | 49.9 | ||
| 2.6 | 52.3 | 2.7 | 48.7 | ||
| 2.7 | 49.9 | 2.8 | 46.4 | ||
| 2.8 | 46.4 | 2.9 | 45.3 | ||
| 2.9 | 44.2 | 3 | 43.2 | ||
| 3 | 41.2 | 3.15 | 41.2 | ||