ZHCSZ61 November 2025 TPS7E82-Q1
ADVANCE INFORMATION
圖 7-2、圖 7-3 和 圖 7-4 基于 JESD51-7 4 層高 K 電路板。使用以下公式估算允許的功率損耗。如電路板布局布線對 LDO 熱性能影響的經(jīng)驗分析 應(yīng)用手冊中所述,可以通過添加頂層覆銅和增加散熱過孔數(shù)量來改善 JEDEC 高 K 布局中的散熱性能。如果采用良好的散熱布局,則允許的散熱最多可改善 50%。
圖 7-4 TPS7E82-Q1 (DGN) 允許的功率耗散