ZHCSZ61 November 2025 TPS7E82-Q1
ADVANCE INFORMATION
該器件包含一個熱關(guān)斷保護(hù)電路,用于在導(dǎo)通晶體管的結(jié)溫
(TJ) 上升到 TSD+(典型值)時禁用器件。熱關(guān)斷遲滯可確認(rèn)在溫度降至 TSD-(典型值)時器件復(fù)位(導(dǎo)通)。
半導(dǎo)體芯片的熱時間常數(shù)相當(dāng)短,因此當(dāng)達(dá)到熱關(guān)斷時,器件可以循環(huán)開關(guān),直到功率耗散降低。由于器件上的 VIN – VOUT 壓降較大,或為大型輸出電容器充電的浪涌電流較高,啟動期間的功率耗散可能較高。在某些情況下,熱關(guān)斷保護(hù)功能會在啟動完成之前禁用器件。
為了實現(xiàn)可靠運(yùn)行,請將結(jié)溫限制在節(jié) 5.3 表中列出的最大值。在超過這個最高溫度的情況下運(yùn)行會導(dǎo)致器件超出運(yùn)行規(guī)格。雖然器件的內(nèi)部保護(hù)電路旨在防止總體發(fā)熱情況,但此電路并不用于替代適當(dāng)?shù)纳?。使器件持續(xù)進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)或在超過建議的最高結(jié)溫下運(yùn)行會降低長期可靠性。