ZHCSZ37 October 2025 TPS7E81
ADVANCE INFORMATION
該器件有一個內(nèi)部過功率限制電路,可在內(nèi)部 SOA(安全工作區(qū))限制內(nèi)限制 LDO 上的功率耗散。LDO 的 SOA 限值考慮了硅元件本身及封裝中使用的引線鍵合的安全運行。這些限值可驗證器件運行可靠,并防止器件因過熱、擊穿或其他損壞效應(yīng)而出現(xiàn)故障。
LDO 上耗散的功率 (PDissip) 由 LDO 中的壓降 (VIN - VOUT) 和流過 LDO 的負(fù)載電流 (IL) 定義。
功率限制電路可監(jiān)測 LDO 上的壓降(余量,VIN - VOUT)和流過 LDO 的輸出負(fù)載電流 (IOUT)。如果 PDissip 超過定義的 SOA 限制,則功率限制電路會限制流過 LDO 的負(fù)載電流 (IOUT)。當(dāng)器件處于功率限制運行狀態(tài)時,不會調(diào)節(jié)輸出電壓。節(jié) 5.5 中捕獲了滿余量 (VIN - V OUT = 40V) 下支持的最大電流 (IPLIMIT) 和滿負(fù)載電流下支持的最大余量 (VPHEADROOM)。
圖 6-6 展示了功率限制圖。