ZHCSZ37 October 2025 TPS7E81
ADVANCE INFORMATION
圖 7-2 和 圖 7-3 基于 JESD51-7 4 層高 K 電路板。使用以下公式估算允許的功率耗散。如 電路板布局對(duì) LDO 熱性能影響的經(jīng)驗(yàn)分析 應(yīng)用手冊(cè)中所述,可以通過添加頂層覆銅和增加散熱過孔數(shù)量來(lái)改善 JEDEC 高 K 布局中的散熱。如果采用良好的散熱布局,則允許的散熱最多可改善 50%。