ZHCSUX0A January 2025 – April 2025 TPS7B4261-Q1
PRODUCTION DATA
TPS7B4261-Q1 采用背對背 PMOS 拓撲。這種拓撲結(jié)構(gòu)可保護器件免受 VOUT 高于 VIN 的故障情況影響，并阻止反向電流流動。如果發(fā)生該故障狀況，器件不會受到損壞、前提是未違反 絕對最大額定值。這種集成保護功能消除了對外部二極管的需求。反向電流比較器通常在 10μs 內(nèi)堆反向電壓情況做出響應(yīng)。比較器與阻斷型 PMOS 晶體管的體二極管一起將反向電流 (IREV) 限制在 1.5μA 以下。電氣特性 表中指定了 IREV。