ZHCSJF4 February 2019 TPS65295
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Detailed Description
- 8 Application and Implementation
- 9 Power Supply Recommendations
- 10Layout
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
3 說明
TPS65295 器件能夠以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)中的 DDR4 加電和斷電順序要求。TPS65295 將兩個同步降壓轉(zhuǎn)換器（VPP 和 VDDQ）與 1A 灌電流和拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 開關(guān)頻率的 D-CAP3™模式，此模式可在無需外部補償電路的情況下實現(xiàn)易于使用的快速瞬變并支持陶瓷輸出電容器。
VTTREF 跟蹤 ½ VDDQ 的精度優(yōu)于 0.8%。VTT 可同時提供 1A 持續(xù)灌電流和拉電流功能，而僅需 10μF 的陶瓷輸出電容。
TPS65295 可提供豐富的功能和卓越的電源性能。它支持靈活功耗狀態(tài)控制，將 VTT 置于高阻抗?fàn)顟B(tài)（處于 S3）并在 S4/S5 狀態(tài)下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進(jìn)行放電。另外還提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。此器件采用熱增強(qiáng)型 18 引腳 HotRod™VQFN 封裝，額定結(jié)溫范圍為 –40°C 至 125°C。
器件信息(1)
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| TPS65295 | VQFN (18) | 3.00mm × 3.00mm |
- 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
典型應(yīng)用
