ZHCSO99D June 2021 – August 2022 TPS62932 , TPS62933 , TPS62933F , TPS62933O , TPS62933P
PRODUCTION DATA
TPS62932、TPS62933 和 TPS62933P 可以在輕負(fù)載電流調(diào)節(jié)下以脈沖頻率調(diào)制 (PFM) 模式運(yùn)行，以便提高輕負(fù)載效率。
當(dāng)負(fù)載電流低于 CCM 下峰峰值電感電流的一半時，器件以斷續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 運(yùn)行。在 DCM 運(yùn)行下，當(dāng)電感電流降至 ILS_ZC 時，低側(cè)開關(guān)會關(guān)閉，以便提高效率。與輕負(fù)載調(diào)節(jié)下的強(qiáng)制 CCM 模式運(yùn)行相比，DCM 模式可減少開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。
電流負(fù)載更小時，將會觸發(fā)脈沖頻率調(diào)制 (PFM) 模式以維持高效率運(yùn)行。當(dāng)達(dá)到最短高側(cè)開關(guān)導(dǎo)通時間 (tON_MIN) 或者最小峰值電感電流 (IPEAK_MIN) 時，器件將會降低開關(guān)頻率以保持電壓穩(wěn)定。在 PFM 模式下，當(dāng)負(fù)載電流下降時，控制環(huán)路會降低開關(guān)頻率，以便保持輸出電壓穩(wěn)定。PFM 運(yùn)行模式下，由于開關(guān)動作頻率更低，其開關(guān)損耗得以進(jìn)一步降低。由于集成電流比較器僅捕獲峰值電感器電流，因此進(jìn)入 PFM 模式的平均負(fù)載電流會隨應(yīng)用和外部輸出 LC 濾波器的變化而變化。
在 PFM 模式下，高側(cè) MOSFET 在一個或多脈沖突發(fā)中導(dǎo)通，為負(fù)載提供電源。突發(fā)的持續(xù)時間取決于反饋電壓達(dá)到 VREF 所需的時間。通過調(diào)整上述突發(fā)的周期可調(diào)節(jié)輸出，而過零電流檢測會關(guān)閉低側(cè) MOSFET 以更大限度地提高效率。該模式可減少在輕負(fù)載下調(diào)節(jié)輸出電壓所需的輸入電源電流值，從而提供高輕負(fù)載效率。這能夠在更大的輸出電壓紋波和可變的開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)非常好的輕負(fù)載效率。