TPS62932 和 TPS62933x 都是具有兩個集成 N 溝道 MOSFET 的 30V、2A 和 3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。它們采用固定頻率峰值電流控制模式，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應以及出色的線路和負載調(diào)節(jié)。這些器件具有經(jīng)過優(yōu)化的內(nèi)部環(huán)路補償功能，因此在寬輸出電壓和開關頻率范圍內(nèi)無需外部補償元件。

集成的 76mΩ 和 32mΩ MOSFET 允許高效率電源設計，其連續(xù)輸出電流高達 2A (TPS62932) 或 3A（TPS62933 和 TPS62933x）。反饋基準電壓設計為 0.8V。輸出電壓可從 0.8V 降至 22V。這些器件非常適合由 5V、12V、19V 和 24V 總線電源軌供電的系統(tǒng)。

TPS6293x 針對安全地單調(diào)啟動至預偏置負載而設計。默認啟動條件為 V_IN 等于 3.8V。器件啟用后，輸出從 0V 平穩(wěn)上升至其穩(wěn)定電壓。TPS6293x 在空載下不開關時具有低工作電流，尤其是 TPS62932、TPS62933 和 TPS62933P，其工作電流為 12μA（典型值）。TPS6293x 禁用后，電源電流約為 2μA（典型值）。這些特性非常有益于在低功耗運行時延長電池壽命。

脈沖頻率調(diào)制 (PFM) 模式讓 TPS62932、TPS62933 和 TPS62933P 能夠更大限度地提高輕負載效率。連續(xù)電流模式讓 TPS62933F 在所有負載條件下都具有低輸出紋波。TPS62933O 在 Out-of-Audio 模式下運行，可避免可聞噪聲。

EN 引腳有一個內(nèi)部上拉電流，可用于通過兩個外部電阻器調(diào)整輸入電壓欠壓鎖定 (UVLO)。此外，EN 引腳可以懸空，以便器件使用內(nèi)部上拉電流運行。

開關頻率可以通過配置 RT 引腳在 200kHz 至 2.2MHz 之間進行設置，從而可以在選擇輸出濾波器元件時優(yōu)化系統(tǒng)效率和解決方案尺寸。TPS62932、TPS62933、TPS62933P 和 TPS62933O 具有展頻功能，有助于降低 EMI 噪聲。

將一個小值電容器或電阻分壓器連接到 TPS62932、TPS62933 和 TPS62933F 的 SS 引腳，可實現(xiàn)軟啟動時間設置或電壓跟蹤。TPS62933P 和 TPS62933O 通過 PG 引腳指示電源正常狀態(tài)。

這些器件具有導通時間延長功能，最大導通時間為 7μs（典型值）。在低壓差操作期間，高側(cè) MOSFET 最多可導通 7μs，然后高側(cè) MOSFET 關斷，同時低側(cè) MOSFET 導通，最短關斷時間為 140ns（典型值）。這些器件支持最大 98% 的占空比。

這些器件通過集成自舉電路減少外部元件數(shù)量。BST 和 SW 引腳間連接的電容器為集成高側(cè) MOSFET 提供偏置電壓。UVLO 電路監(jiān)控自舉電容器電壓 V_BST-SW。當它降至 2.5V（典型值）的預設閾值以下時，SW 引腳會被拉低，以便為自舉電容器充電。

高側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制可在過載情況下保護器件，并通過低側(cè)拉電流限制防止電流失控，從而增強限制效果。TPS6293x 提供輸出欠壓保護 (UVP)，當穩(wěn)壓輸出電壓因過流被觸發(fā)而低于標稱電壓的 65% 時，經(jīng)過約 256μs（典型值）抗尖峰時間后，高側(cè)和低側(cè) MOSFET 均關斷，同時器件進入斷續(xù)模式。

這些器件通過利用過壓比較器來更大限度地減少過多的輸出過壓瞬變。當經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓高于標稱電壓的 115% 時，過壓比較器便會激活，并會關閉并禁止開啟高側(cè) MOSFET，直到輸出電壓低于標稱電壓的 110%。

當芯片溫度 T_J 超過 165°C 時，熱關斷會禁用器件，而當 T_J 降至 30°C 的遲滯量以下后，則會再次啟用器件。