ZHCSLC8M May 2020 – September 2025 TPS628501-Q1 , TPS628502-Q1 , TPS628503-Q1
PRODMIX
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | ||||||
| IQ | 靜態(tài)電流 | EN = VIN，無負(fù)載，器件未開關(guān)，MODE = GND，VOUT = 0.6V | 17 | 36 | μA | |
| ISD | 關(guān)斷電流 | EN = GND，TJ = 25°C 時(shí)的標(biāo)稱值，TJ = 150°C 時(shí)的最大值 | 1.5 | 48 | μA | |
| VUVLO | 欠壓鎖定閾值 | VIN 上升 | 2.45 | 2.6 | 2.7 | V |
| VIN 下降 | 2.1 | 2.5 | 2.6 | V | ||
| TJSD | 熱關(guān)斷閾值 | TJ 上升 | 170 | °C | ||
| 熱關(guān)斷遲滯 | TJ 下降 | 15 | °C | |||
| 控制和接口 | ||||||
| VEN,IH | EN 上的輸入閾值電壓，上升沿 | 1.05 | 1.1 | 1.15 | V | |
| VEN,IL | EN 上的輸入閾值電壓，下降沿 | 0.96 | 1.0 | 1.05 | V | |
| VIH | MODE/SYNC 上的高電平輸入閾值電壓 | 1.1 | V | |||
| IEN,LKG | 流入 EN 的輸入漏電流 | VIH = VIN 或 VIL = GND | 125 | nA | ||
| VIL | MODE/SYNC 上的低電平輸入閾值電壓 | 0.3 | V | |||
| ILKG | 流入 MODE/SYNC 的輸入漏電流 | 100 | nA | |||
| tDelay | 啟用延遲時(shí)間 | 從 EN 高電平到器件開始開關(guān)的時(shí)間；已施加 VIN | 135 | 200 | 520 | μs |
| tDelay | 啟用延遲時(shí)間 | 從 EN 高電平到器件開始開關(guān)的時(shí)間；已施加 VIN， VIN ≥ 3.3V |
480 | μs | ||
| tRamp | 輸出電壓斜坡時(shí)間 | 從器件開始開關(guān)到電源正常所需的時(shí)間；器件未處于電流限制狀態(tài) | 0.8 | 1.3 | 1.8 | ms |
| tRamp | 輸出電壓斜坡時(shí)間 | 從器件開始開關(guān)到電源正常所需的時(shí)間；器件未處于 TPS628501B0QDRLRQ1 和 TPS628501H9QDRLRQ1 的電流限制狀態(tài) | 90 | 150 | 210 | μs |
| fSYNC | MODE/SYNC 引腳上用于同步的頻率范圍 | 1.8 | 4 | MHz | ||
| MODE/SYNC 上同步信號(hào)的占空比 | 20 | 80 | % | |||
| 鎖定到外部頻率所需的時(shí)間 | 50 | μs | ||||
| 用于實(shí)現(xiàn)邏輯低電平的 COMP/FSET 至 GND 電阻 | f = 2.25MHz 時(shí)的內(nèi)部頻率設(shè)置 |
0 | 2.5 | k? | ||
| COMP/FSET 上用于實(shí)現(xiàn)邏輯高電平的電壓 | f = 2.25MHz 時(shí)的內(nèi)部頻率設(shè)置 |
VIN | V | |||
| VTH_PG | UVP 電源正常閾值電壓； 直流電平 |
上升 (%VFB) | 92 | 95 | 98 | % |
| VTH_PG | UVP 電源正常閾值電壓； 直流電平 |
下降 (%VFB) | 87 | 90 | 93 | % |
| VTH_PG | OVP 電源正常閾值電壓； 直流電平 |
上升 (%VFB) | 107 | 110 | 113 | % |
| OVP 電源正常閾值電壓； 直流電平 |
下降 (%VFB) | 104 | 107 | 111 | % | |
| VPG,OL | PG 上的低電平輸出電壓 | ISINK_PG = 2mA | 0.07 | 0.3 | V | |
| IPG,LKG | 流入 PG 的輸入漏電流 | VPG = 5V | 100 | nA | ||
| tPG | PG 抗尖峰脈沖時(shí)間 | 對(duì)于電源正常輸出上從高電平到低電平的轉(zhuǎn)換 | 40 | μs | ||
| 輸出 | ||||||
| VFB | 反饋電壓，可調(diào)版本 | 0.6 | V | |||
| VFB | 反饋電壓，固定電壓版本 | (TPS62850108) | 1.1 | V | ||
| VFB | 反饋電壓，固定電壓版本 | (TPS6285018A) | 1.2 | V | ||
| VFB | 反饋電壓，固定電壓版本 | 適用于 TPS6285010M、TPS6285020M | 1.8 | V | ||
| VFB | 反饋電壓，固定電壓版本 | (TPS6285021H) | 3.3 | V | ||
| IFB,LKG | 流入 FB 的輸入漏電流，可調(diào)版本 | VFB = 0.6V | 1 | 70 | nA | |
| IFB,LKG | 流入 FB 的輸入漏電流，固定電壓版本 | 1 | μA | |||
| VFB | 反饋電壓精度 | PWM，VIN ≥ VOUT + 1V | -1 | 1 | % | |
| VFB | 反饋電壓精度 | PFM，VIN ≥ VOUT + 1V，VOUT ≥ 1.0V，Co,eff ≥ 10μF，L = 0.47μH | -1 | 2 | % | |
| VFB | 反饋電壓精度 | PFM，VIN ≥ VOUT + 1V，VOUT < 1.0V，Co,eff ≥ 15μF，L = 0.47μH |
-1 | 3 | % | |
| 負(fù)載調(diào)整率 | PWM | 0.05 | %/A | |||
| 線路調(diào)整 | PWM，IOUT = 1A，VIN ≥ VOUT + 1V | 0.02 | %/V | |||
| RDIS | 輸出放電電阻 | 100 | Ω | |||
| fSW | PWM 開關(guān)頻率范圍 | MODE = 高電平，請(qǐng)參閱有關(guān)設(shè)置開關(guān)頻率的 FSET 引腳功能 | 1.8 | 2.25 | 4 | MHz |
| fSW | PWM 開關(guān)頻率范圍 | MODE = 低電平，請(qǐng)參閱有關(guān)設(shè)置開關(guān)頻率的 FSET 引腳功能 | 1.8 | 3.5 | MHz | |
| fSW | PWM 開關(guān)頻率 | COMP/FSET 連接到 GND 或 VIN | 2.025 | 2.25 | 2.475 | MHz |
| fSW | PWM 開關(guān)頻率容差 | 使用 COMP/FSET 到 GND 之間的電阻器 | -12 | 12 | % | |
| ton,min | 高側(cè) FET 的最短導(dǎo)通時(shí)間 | VIN ≥ 3.3V，TJ = -40°C 至 125°C | 35 | 50 | ns | |
| ton,min | 低側(cè) FET 的最短導(dǎo)通時(shí)間 | 10 | ns | |||
| RDS(ON) | 高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | VIN ≥ 5V |
65 | 120 | mΩ | |
| 低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | VIN ≥ 5V | 33 | 70 | mΩ | ||
| 高側(cè) MOSFET 漏電流 | TJ = 85°C | 2.5 | μA | |||
| 高側(cè) MOSFET 漏電流 | 0.01 | 44 | μA | |||
| 低側(cè) MOSFET 漏電流 | TJ = 85°C | 3.7 | μA | |||
| 低側(cè) MOSFET 漏電流 | 0.01 | 70 | μA | |||
| SW 漏電流 | V(SW) = 0.6V，流入 SW 引腳的電流 | -0.05 | 11 | μA | ||
| ILIMH | 高側(cè) FET 開關(guān)電流限制 | 直流值，適用于 TPS628503； VIN = 3.3V 至 6V |
3.45 | 4.5 | 5.1 | A |
| ILIMH | 高側(cè) FET 開關(guān)電流限制 | 直流值，適用于 TPS628502； VIN = 3V 至 6V |
2.85 | 3.4 | 3.9 | A |
| ILIMH | 高側(cè) FET 開關(guān)電流限制 | 直流值，適用于 TPS628501； VIN = 3V 至 6V |
2.1 | 2.6 | 3.0 | A |
| ILIMNEG | 低側(cè) FET 負(fù)電流限制 | 直流值 | -1.8 | A | ||