9 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLG (August 2024)to RevisionH (June 2025)
- 將 MOSFET 值分別從 13.5mΩ 和 4.5mΩ 更改為 7.8mΩ 和 3.2mΩGo
- 在特性 部分中添加了 WEBENCH 鏈接Go
- 更新了圖 3-1圖以包含最新的器件數(shù)據(jù)Go
- 將 RDS(on)H 從 13.5mΩ 更新為 7.8mΩ、將 RDS(on)L 從 4.5mΩ 更新為 3.2mΩ，并將 tUVPEN 斷續(xù)時間從 7 個周期更新為 14 個周期Go
- 將 IIN 典型值從 600μA 更改為 146μA，并刪除了 IIN 最大值Go
- 將 IVINSDN 典型值從 7μA 更改為 9.3μAGo
- 將 VPGOODTH VFB 下降（正常）值從 107% 更改為 108%Go
- 將 VUVP 值從 68% 更改為 70%Go
- 將 UVLO VREG5 上升電壓值從 4.3V 更改為 4.25VGo
- 將 UVLO VREG5 下降電壓值從 3.57V 更改為 3.52VGo
- 將 UVLO、VREG5 = 4.7V VIN 下降電壓、VREG5 = 4.7V 值從 3.26V 更改為 3.24VGo
- 將 UVLO、VREG5 = 4.7V VIN 遲滯、VREG5 = 4.7V 值從 60mV 更改為 80mVGo
- 將 tON 的最小值從 54ns 更改為 60nsGo
- 將 tSS 的值從 1.045ms 更改為 1.2msGo
- 將圖 5-9 更新為圖 5-34 以包含最新的器件數(shù)據(jù)Go
- 刪除了“高側(cè) RDS(on) 與溫度間的關(guān)系”圖和“低側(cè) RDS(on) 與溫度間的關(guān)系”圖Go
- 將 MOSFET 值分別從 13.5mΩ 和 4.5mΩ 更改為 7.8mΩ 和 3.2mΩGo
- 將表 6-1 中“零點頻率”的值分別從 7.1、14.3 和 21.4 更改為 17.8、27.1 和 29.8Go
- 將等待時間從 1ms 更改為 1 × tSS 并將斷續(xù)時間從 7ms 更改為 14 × tSS
Go
- 添加了
瞬態(tài)響應(yīng)增強
部分Go
- 添加了使用 WEBENCH? 工具創(chuàng)建定制設(shè)計方案 部分Go
- 更新了
應(yīng)用曲線
以包含最新的器件數(shù)據(jù)Go
- 添加了使用 WEBENCH? 工具創(chuàng)建定制設(shè)計方案 部分Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (August 2023)to RevisionG (August 2024)
- 將更新后的產(chǎn)品系列的說明從“TI 超小型”更改為“小尺寸”Go
- 刪除了 TSDN VREG5 規(guī)格Go
- 為 SW 導(dǎo)通時間參數(shù)添加了“根據(jù)設(shè)計確定”注釋Go
- 刪除了“超限運行”部分Go
- 更新了熱關(guān)斷部分Go