ZHCSEU8H March 2016 – June 2025 TPS56C215
PRODUCTION DATA
圖 7-9 展示了建議的頂面布局。元件參考標(biāo)號(hào)與圖 7-1 中所示電路一致。EN 的電阻分壓器未用于圖 7-1 的電路中,但顯示于布局中以供參考。
圖 7-9 頂層布局圖 7-10 展示了第一個(gè)內(nèi)層的建議布局。該圖包含一個(gè)大面積 PGND 平面和一個(gè)小型 ANGD 隔離區(qū)域。AGND 和 PGND 通過單點(diǎn)連接以減小循環(huán)電流。
圖 7-10 中間層 1 布局圖 7-11 展示了第二個(gè)內(nèi)層的建議布局。該圖包含一個(gè)大面積 PGND 平面、一個(gè)用于連接頂面兩個(gè) VIN 銅箔區(qū)的小型覆銅區(qū),以及另一個(gè) VOUT 覆銅區(qū)。
圖 7-11 中間層 2 布局圖 7-12 展示了底層的建議布局。該圖包含一個(gè)大面積 PGND 平面和一條用于將啟動(dòng)電容器連接到 SW 節(jié)點(diǎn)的布線。
圖 7-12 底層布局