ZHCS610D December 2011 – December 2021 TPS28225-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Detailed Description
- 8 Application and Implementation
- 9 Power Supply Recommendations
- 10Layout
- 11Device and Documentation Support
- 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRB|8
訂購信息
3 說明
TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動器，用于驅(qū)動具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。此驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化，適用于多種高電流、單相和多相直流/直流轉(zhuǎn)換器。TPS28225-Q1 是一個提供高效率、小尺寸、低 EMI 發(fā)射的解決方案。
TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 柵極驅(qū)動電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間控制、14ns 廣播延遲以及高電流（2A 拉電流和 4A 灌電流）驅(qū)動能力。較低柵極驅(qū)動器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的柵極低于它的閾值并確保在dV/dt相位結(jié)點轉(zhuǎn)換中不會產(chǎn)生擊穿電壓。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器支持在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
TPS28225-Q1 采用經(jīng)濟型 SOIC-8 封裝和耐熱增強型小尺寸 VSON 封裝。此驅(qū)動器的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C，絕對最大結(jié)溫為 150°C。
器件信息(1)
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| TPS28225-Q1 | SOIC (8) | 5.00mm x 6.20mm |
| VSON (8) | 3.00mm × 3.00mm |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
簡化版原理圖