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TPS28225-Q1

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具有 4V UVLO、用于同步整流的汽車類 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 33 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Switch node voltage (V) 0 Features (x1) PWM, Synchronous Rectification Driver configuration Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 33 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Switch node voltage (V) 0 Features (x1) PWM, Synchronous Rectification Driver configuration Single
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 VSON (DRB) 8 9 mm2 3 x 3
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 驅(qū)動兩個具有 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間的 N 溝道 MOSFET
  • 寬柵極驅(qū)動電壓:4.5V 至 8.8V,在 7V 至 8V 時效率最高
  • 動力總成系統(tǒng)寬輸入電壓:3V 至 27V
  • 寬輸入 PWM 信號:2V 至 13.2V 振幅
  • 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動 MOSFET
  • 高頻運行:14ns 傳播延遲和 10ns 上升或下降時間支持高達(dá) 2MHz 的 FSW
  • 能夠傳播 <30ns 的輸入 PWM 脈沖
  • 低側(cè)驅(qū)動器灌入導(dǎo)通電阻 (0.4?) 防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
  • 用于功率級關(guān)斷的三態(tài) PWM 輸入
  • 通過同一引腳支持使能(輸入)和電源正常(輸出)信號來節(jié)省空間
  • 熱關(guān)斷
  • UVLO 保護(hù)
  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 和熱增強型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
  • 常見三態(tài)輸入驅(qū)動器的高性能替代產(chǎn)品
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 驅(qū)動兩個具有 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間的 N 溝道 MOSFET
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  • 寬輸入 PWM 信號:2V 至 13.2V 振幅
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  • 高頻運行:14ns 傳播延遲和 10ns 上升或下降時間支持高達(dá) 2MHz 的 FSW
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  • 通過同一引腳支持使能(輸入)和電源正常(輸出)信號來節(jié)省空間
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  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 和熱增強型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
  • 常見三態(tài)輸入驅(qū)動器的高性能替代產(chǎn)品

TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動器,用于驅(qū)動具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。此驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化,適用于多種高電流、單相和多相直流/直流轉(zhuǎn)換器。TPS28225-Q1 是一個提供高效率、小尺寸、低 EMI 發(fā)射的解決方案。

TPS28225-Q1 器件具有高性能特性,例如 8.8V 柵極驅(qū)動電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間控制、14ns 廣播延遲以及高電流(2A 拉電流和 4A 灌電流)驅(qū)動能力。較低柵極驅(qū)動器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的柵極低于它的閾值并確保在dV/dt相位結(jié)點轉(zhuǎn)換中不會產(chǎn)生擊穿電壓。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器支持在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。

TPS28225-Q1 采用經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 封裝和耐熱增強型小尺寸 VSON 封裝。此驅(qū)動器的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C,絕對最大結(jié)溫為 150°C。

TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動器,用于驅(qū)動具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。此驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化,適用于多種高電流、單相和多相直流/直流轉(zhuǎn)換器。TPS28225-Q1 是一個提供高效率、小尺寸、低 EMI 發(fā)射的解決方案。

TPS28225-Q1 器件具有高性能特性,例如 8.8V 柵極驅(qū)動電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間控制、14ns 廣播延遲以及高電流(2A 拉電流和 4A 灌電流)驅(qū)動能力。較低柵極驅(qū)動器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的柵極低于它的閾值并確保在dV/dt相位結(jié)點轉(zhuǎn)換中不會產(chǎn)生擊穿電壓。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器支持在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。

TPS28225-Q1 采用經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 封裝和耐熱增強型小尺寸 VSON 封裝。此驅(qū)動器的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C,絕對最大結(jié)溫為 150°C。

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* 數(shù)據(jù)表 TPS28225-Q1 汽車類高頻 4A 灌電流同步 MOSFET 驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2022年 2月 22日
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設(shè)計和開發(fā)

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仿真模型

TPS28225 PSpice Transient Model

SLUM287.ZIP (36 KB) - PSpice Model
仿真模型

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SLUM496.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用,包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

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VSON (DRB) 8 Ultra Librarian

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