TPS28225-Q1
- 符合汽車應(yīng)用要求
- 驅(qū)動兩個具有 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間的 N 溝道 MOSFET
- 寬柵極驅(qū)動電壓:4.5V 至 8.8V,在 7V 至 8V 時效率最高
- 動力總成系統(tǒng)寬輸入電壓:3V 至 27V
- 寬輸入 PWM 信號:2V 至 13.2V 振幅
- 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動 MOSFET
- 高頻運行:14ns 傳播延遲和 10ns 上升或下降時間支持高達(dá) 2MHz 的 FSW
- 能夠傳播 <30ns 的輸入 PWM 脈沖
- 低側(cè)驅(qū)動器灌入導(dǎo)通電阻 (0.4?) 防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
- 用于功率級關(guān)斷的三態(tài) PWM 輸入
- 通過同一引腳支持使能(輸入)和電源正常(輸出)信號來節(jié)省空間
- 熱關(guān)斷
- UVLO 保護(hù)
- 內(nèi)部自舉二極管
- 經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 和熱增強型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
- 常見三態(tài)輸入驅(qū)動器的高性能替代產(chǎn)品
TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動器,用于驅(qū)動具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。此驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化,適用于多種高電流、單相和多相直流/直流轉(zhuǎn)換器。TPS28225-Q1 是一個提供高效率、小尺寸、低 EMI 發(fā)射的解決方案。
TPS28225-Q1 器件具有高性能特性,例如 8.8V 柵極驅(qū)動電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間控制、14ns 廣播延遲以及高電流(2A 拉電流和 4A 灌電流)驅(qū)動能力。較低柵極驅(qū)動器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的柵極低于它的閾值并確保在dV/dt相位結(jié)點轉(zhuǎn)換中不會產(chǎn)生擊穿電壓。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器支持在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
TPS28225-Q1 采用經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 封裝和耐熱增強型小尺寸 VSON 封裝。此驅(qū)動器的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C,絕對最大結(jié)溫為 150°C。
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功能與比較器件相同,但引腳排列有所不同
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS28225-Q1 汽車類高頻 4A 灌電流同步 MOSFET 驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2022年 2月 22日 |
| 應(yīng)用簡報 | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡報 | 適用于柵極驅(qū)動器的外部柵極電阻器設(shè)計指南 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
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| 更多文獻(xiàn)資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理 | 最新英語版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
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