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ZHCSLX0A June 2020 – September 2020 TPS23734

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RMT|45
- MPQF583

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcslx0a_oa

7.6 電氣特性 PoE

除非另有說明，否則 V_VDD = 48V；R_DEN = 25.5k?；R_FRS = 60.4k?；R_{I_STP} = 499kΩ；CLS、T2P、APDO 和 PSRS 打開；CS、EA_DIS、APD、EMPS、AGND 和 GND 連接到 RTN；FB、LINEUV、DT 和 DTHR 連接到 VBC_VB = C_VBG = 0.1μF；C_VCC = 1μF；C_SST = 0.047μF；R_REF = 49.9kΩ；–40°C ≤ T_J ≤ 125°C。除非另有說明，否則正電流進入引腳。典型值為 25°C 下的值。
V_VCC-RTN = 0V，除非另有說明，否則所有電壓指的是 V_VSS。

參數(shù)		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
PD 檢測 (DEN)
	檢測偏置電流	DEN 打開，V_VDD = 10V，不在標記中，測量 I_VDD + I_RTN		3.5	6.9	13.9	μA
I_lkg	DEN 泄漏電流	V_DEN = V_VDD = 60V，浮動 RTN，測量 I_DEN			0.1	5	μA
	檢測電流	測量 I_VDD + I_DEN + I_RTN，V_VDD = 1.4V		53.5	56.5	58.6	μA
	檢測電流	測量 I_VDD + I_DEN + I_RTN，V_VDD = 10V，不在標記中		391	398	406.2	μA
V_{PD_DIS}	熱插拔禁用閾值	DEN 下降		3	4	5	V
PD 分級 (CLS)
I_CLS	分級特征電流	R_CLS = 806?	13V ≤ V_DD ≤ 21V，測量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	1.9	2.5	2.9	mA
		R_CLS = 130?	13V ≤ V_DD ≤ 21V，測量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	9.9	10.6	11.3	mA
		R_CLS = 69.8?	13V ≤ V_DD ≤ 21V，測量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	17.6	18.6	19.4	mA
		R_CLS = 46.4?	13V ≤ V_DD ≤ 21V，測量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	26.5	27.9	29.3	mA
		R_CLS = 32Ω	13V ≤ V_DD ≤ 21V，測量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	37.8	39.9	42	mA
I_CLS	分級特征電流，3 級事件	R_CLS = 32Ω	13V ≤ V_DD ≤ 21V，測量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	38	39.9	42	mA
V_{CL_ON}	分級調(diào)節(jié)器下限閾值上升	V_VDD 上升，I_CLS ↑		11.4	12.2	13	V
V_{CL_H}	分級調(diào)節(jié)器下限閾值	遲滯⁽¹⁾		0.8	1.2	1.6	V
V_{CU_OFF}	分級調(diào)節(jié)器上限閾值	V_VDD 上升，I_CLS ↓		21	22	23	V
V_{CU_H}	分級調(diào)節(jié)器上限閾值	遲滯⁽¹⁾		0.5	0.77	1	V
V_MSR	標記狀態(tài)復(fù)位閾值	V_VDD 下降		3	3.9	5	V
	標記狀態(tài)電阻	在 5V 和 10.1V 進行 2 點測量		6	10	12	kΩ
I_lkg	泄漏電流	V_VDD = 60V，V_CLS = 0V，V_DEN = V_VSS，測量 I_CLS				1	μA
t_{LCF_PD}	第一類事件時間較長	新 MPS 的 1 級事件持續(xù)時間		76	81.5	87	ms
RTN（導(dǎo)通器件）
	導(dǎo)通電阻				0.3	0.55	?
I_LIM	電流限制	V_RTN = 1.5V，脈沖測量		0.75	0.925	1.1	A
I_IRSH	浪涌電流限制	V_RTN = 2V，V_VDD：20V → 48V，測量 I_RTN，脈沖測量		100	140	180	mA
	通過非標準 UVLO 提供浪涌電流限制功能	V_PPD - V_VSS > V_PPDEN，V_RTN = 2V，V_VDD：0V → 20V，測量 I_RTN，脈沖測量		100	140	180	mA
	浪涌終止	浪涌電流百分比。		80%	90%	99%
t_{INR_DEL}	浪涌終止			80	84	88	ms
	折返電壓閾值	V_RTN 上升		13.5	14.8	16.1	V
	折返抗尖峰脈沖時間	V_RTN 上升到電流限值變?yōu)槔擞侩娏飨拗禃r。這適用于正常運行情況或自動 MPS 模式。		1.5	1.8	2.1	ms
	泄漏電流	V_VDD = V_RTN = 100V，V_DEN = V_VSS				70	μA
PSE 類型指示 (T2P)
	輸出低電壓	I_T2P = 1mA，在 2 個或 3 個事件分級之后，啟動完成之后，V_RTN = 0V			0.27	0.5	V
	泄漏電流	V_T2P-RTN = 10V，V_RTN = 0V				1	μA
PD 輸入電源 (VDD)
V_{UVLO_R}	欠壓閉鎖閾值	V_VDD 上升		35.8	37.6	39.5	V
V_{UVLO_F}	欠壓閉鎖閾值	V_VDD 下降		30.5	32	33.6	V
V_{UVLO_H}	欠壓閉鎖閾值	遲滯⁽¹⁾		5.7	6.0	6.3	V
I_{VDD_ON}	工作電流	40V ≤ V_VDD ≤ 60V，已完成啟動，V_VCC = 10V，測量 I_VDD			650	1040	μA
I_{VDD_OFF}	關(guān)斷狀態(tài)電流	RTN、GND 和 VCC 打開，V_VDD = 30V，測量 I_VDD				730	μA
MPS
I_MPSL	1-2 類 PSE 的 MPS 總 VSS 電流	EMPS 打開，已完成浪涌延遲，0mA ≤ I_RTN ≤ 10mA，測量 I_VSS		10	12.5	15.5	mA
I_MPSH	3-4 類 PSE 的 MPS 總 VSS 電流	EMPS 打開，已完成浪涌延遲，0mA ≤ I_RTN ≤ 16mA，測量 I_VSS		16.25	19	21.5	mA
	適用于 1-2 類 PSE 的 MPS 脈沖模式占空比	MPS 脈沖電流占空比	EMPS 打開	26.2%	26.6%	26.9%
t_MPSL		MPS 脈沖電流開啟時間	EMPS 打開	76	81.5	87	ms
		MPS 脈沖電流關(guān)閉時間	EMPS 打開		225	245	ms
	適用于 3-4 類 PSE 的 MPS 脈沖模式占空比	MPS 脈沖電流占空比，無脈沖展寬	EMPS 打開	2.9%	3.0%	3.1%
t_MPSH		MPS 脈沖電流導(dǎo)通時間，無脈沖展寬	EMPS 打開	7.2	7.7	8.1	ms
		MPS 脈沖電流關(guān)閉時間	EMPS 打開	238	250	265	ms
		MPS 脈沖電流導(dǎo)通時間展寬限制	EMPS 打開	54	57	62	ms
熱關(guān)斷
	關(guān)斷溫度			148	158	168	°C
	遲滯⁽²⁾				15		°C

(1) 遲滯容差跟蹤給定器件的上升閾值。

(2) 提供的這些參數(shù)僅供參考。