ZHCSLX0A June 2020 – September 2020 TPS23734
PRODUCTION DATA
RTN 引腳為負(fù)載提供負(fù)電源回路。它在內(nèi)部連接到 PoE 熱插拔 MOSFET 的漏極和直流/直流控制器回路。必須將 RTN 視為直流/直流控制器和轉(zhuǎn)換器初級(jí)側(cè)的本地參考平面（接地層），以保持信號(hào)完整性。
一旦 VVDD 超過(guò) UVLO 閾值，內(nèi)部導(dǎo)通 MOSFET 便會(huì)將 RTN 拉至 VSS。浪涌限制功能可防止 RTN 電流超過(guò)大約 140mA 的標(biāo)稱(chēng)值，直到大容量電容（CBULK，請(qǐng)參閱圖 9-1）充滿電為止。必須滿足兩個(gè)條件才能到達(dá)浪涌階段末。第一個(gè)條件是當(dāng) RTN 電流降至低于標(biāo)稱(chēng)浪涌電流的大約 90% 時(shí)，電流限值更改為 0.925A，而第二個(gè)條件是確保最短浪涌延遲周期為從浪涌階段開(kāi)始算起 80ms (tINR_DEL)。滿足兩個(gè)浪涌條件（即大容量電容已充滿電并且浪涌周期已完成）之后，將允許直流/直流轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)。
如果 VRTN - VVSS 大于約 14.8V 的時(shí)間超過(guò)約 1.8ms，則 PD 恢復(fù)到浪涌限制；請(qǐng)注意，在這種特殊情況下，上述關(guān)于浪涌階段持續(xù)時(shí)間 (80ms) 的第二個(gè)條件不適用。