ZHCSLX0A June 2020 – September 2020 TPS23734
PRODUCTION DATA
GATE 是直流/直流轉(zhuǎn)換器的主開(kāi)關(guān) MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)輸出，而 GAT2 是其第二個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)。
GATE 的相位在變?yōu)楦唠娖綍r(shí)打開(kāi)主開(kāi)關(guān)，在變?yōu)榈碗娖綍r(shí)將其關(guān)閉。禁用轉(zhuǎn)換器時(shí)，它也保持低電平。
GAT2 的相位在變?yōu)楦唠娖綍r(shí)關(guān)閉第二個(gè)開(kāi)關(guān)，在變?yōu)榈碗娖綍r(shí)將其打開(kāi)。禁用轉(zhuǎn)換器時(shí)，GAT2 也會(huì)保持低電平。此輸出可驅(qū)動(dòng)有源鉗位 PMOS 器件和驅(qū)動(dòng)反激式同步整流器。在高阻抗條件下將 DT 連接到 VB 也會(huì)禁用 GAT2。
DT 輸入用于設(shè)定 GATE 和 GAT2 之間的延遲，防止 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間重疊，如 圖 7-1 中所示。GAT2 變?yōu)楦唠娖街?GATE 變?yōu)楦唠娖?，以?GATE 變?yōu)榈碗娖街?GAT2 變?yōu)榈碗娖街g的兩個(gè) MOSFET 都應(yīng)關(guān)閉。通過(guò)設(shè)置的死區(qū)時(shí)間期間可以縮短最長(zhǎng) GATE 導(dǎo)通時(shí)間。死區(qū)時(shí)間期間由 GATE 上的 1nF 電容和 GAT2 上的 0.5nF 電容指定。這些引腳上的不同負(fù)載會(huì)改變有效死區(qū)時(shí)間。從 DT 連接到 AGND 的電阻器設(shè)定 GATE 和 GAT2 之間的延遲，下圖待確定。請(qǐng)注意，即使在 VCC UVLO 等狀況下或返回到浪涌階段，仍會(huì)維持設(shè)定好的死區(qū)時(shí)間，直至開(kāi)關(guān)完全停止。