ZHCSIF4D June 2018 – September 2022 TMP117
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
為防止意外編程,EEPROM 默認(rèn)處于鎖定狀態(tài)。鎖定后,對(duì)寄存器映射位置的任何 I2C 寫入將僅在易失性寄存器上執(zhí)行,不在 EEPROM 上執(zhí)行。
圖 7-7 顯示了介紹 EEPROM 編程序列的流程圖。若要對(duì) EEPROM 進(jìn)行編程,請(qǐng)首先通過設(shè)置 EEPROM 解鎖寄存器中的 EUN 位來解鎖 EEPROM。解鎖 EEPROM 后,對(duì)寄存器映射位置的任何后續(xù) I2C 寫入都會(huì)對(duì) EEPROM 中一個(gè)相應(yīng)的非易失性存儲(chǔ)器位置進(jìn)行編程。對(duì)單個(gè)位置進(jìn)行編程通常需要 7ms 并消耗 230μA 電流。在編程完成之前,請(qǐng)勿執(zhí)行任何 I2C 寫入操作。編程期間會(huì)設(shè)置 EEPROM_busy 標(biāo)志。讀取此標(biāo)志以監(jiān)測(cè)編程是否完成。對(duì)所需數(shù)據(jù)編程完畢后,發(fā)出通用廣播復(fù)位命令以觸發(fā)軟件復(fù)位。來自 EEPROM 的編程數(shù)據(jù)隨后將作為復(fù)位序列的一部分加載到相應(yīng)的寄存器映射位置。此命令還會(huì)清除 EUN 位并自動(dòng)鎖定 EEPROM 以防止任何進(jìn)一步的意外編程操作。請(qǐng)避免在 EEPROM 處于解鎖狀態(tài)時(shí)使用器件來執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)換。
圖 7-7 EEPROM 編程序列