ZHCSRS8F February 2023 – August 2025 TLV709
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盡管不需要輸入電容器來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性，但良好的模擬設(shè)計(jì)實(shí)踐是將電容器從 IN 連接到 GND。該電容可抵消電抗性輸入源，并改善瞬態(tài)響應(yīng)、輸入紋波和 PSRR。如果源阻抗大于 0.5Ω，請使用輸入電容器。如果預(yù)計(jì)會有較大且快速的上升時間負(fù)載或線路瞬變，請使用更高容值的電容。此外，如果器件距離輸入電源幾英寸，請使用容值更高的電容器。
通過使用更大的輸出電容器來提升動態(tài)器件性能。TLV709 需要一個 1μF 或更大的輸出電容器（0.47μF 或更大電容）來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性，并需要一個介于 0.001Ω 和 1Ω 之間的等效串聯(lián)電阻 (ESR)。為了獲得出色瞬態(tài)性能，請使用 X5R 和 X7R 類型的陶瓷電容器，因?yàn)檫@些電容器的值和 ESR 隨溫度的變化極小。為特定應(yīng)用選擇電容器時，請注意電容器的直流偏置特性。較高的輸出電壓會導(dǎo)致電容器顯著降額。為確保穩(wěn)定性，請?jiān)?em class="ph i">建議運(yùn)行條件 表中指定的范圍內(nèi)使用輸出電容器。