ZHCSYP6A February 1997 – July 2025 TLV2322 , TLV2324
PRODUCTION DATA
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- D|14
- PW|14
- N|14
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.1.7 輸出特性
TLV232x 的輸出級旨在灌入和拉取相對較高的電流（請參閱節(jié) 5.10）。如果輸出遇到短路情況，這種高電流能力在某些情況下可能造成器件損壞。輸出電流能力隨電源電壓增加而提高。
盡管 TLV232x 已具有輸出高電平電壓和電流的出色能力，但在需要時也可以通過一些方法進一步增強此能力。最簡單的方法是使用從輸出端連接到正電源導軌的上拉電阻器（RP）（請參閱圖 7-6）。使用該電路有兩個劣勢。首先，NMOS 下拉晶體管會灌入相對較大的電流。在該電路中，下拉晶體管的行為類似于線性電阻器，導通電阻介于約 60Ω 到 180Ω 之間，具體取決于運算放大器輸入的驅(qū)動強度。RP 值非常低時，輸出端會發(fā)生相對于 0V 的電壓偏移。其次，上拉電阻器 RP 充當著下拉晶體管的漏極負載。因此，在相應上拉晶體管不提供輸出電流的輸出電壓電平時，運算放大器的增益會降低。
圖 7-6 使用阻性上拉來提高 VOH
圖 7-7 輸出特性測試電路TLV232x 的所有工作特性都是在 20pF 負載下測得的。該器件可驅(qū)動更高的電容負載。但是，隨著輸出負載電容增加，產(chǎn)生的響應極出現(xiàn)在較低頻率下，進而導致振鈴、峰值甚至振蕩（請參閱圖 7-7 和圖 7-8）。在許多情況下，在反饋環(huán)路中增加串聯(lián)電阻器形式的補償可以緩解該問題。
圖 7-8 電容負載的影響