日产一二三四区十八岁,在线观看日韩一区

ZHCSXN6 December 2024 TAS5815

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PWP|28
- MPDS373B

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PWP|28
- PPTD351

訂購(gòu)信息

5.6 時(shí)序要求

		最小值	最大值	單位
串行音頻端口時(shí)序 - 目標(biāo)模式
f_SCLK	SCL 頻率	1.024		MHz
t_SCLK	SCLK 周期	40		ns
t_SCLKL	SCLK 脈沖寬度，低電平	16		ns
t_SCLKH	SCLK 脈沖寬度，高電平	16		ns
t_SL	SCLK 上升至 LRCLK/FS 邊沿	8		ns
t_LS	LRCK/SCLK 邊沿到 FS 上升沿	8		ns
t_SU	SCLK 上升沿之前的數(shù)據(jù)建立時(shí)間	8		ns
t_DH	SCLK 上升沿之后的數(shù)據(jù)保持時(shí)間	8		ns
t_DFS	SCLK 下降沿的數(shù)據(jù)延遲時(shí)間		15	ns
I²C 總線時(shí)序 — 標(biāo)準(zhǔn)
f_SCL	SCL 時(shí)鐘頻率		100	kHz
t_BUF	STOP 與 START 條件之間的總線空閑時(shí)間	4.7		μs
t_LOW	SCL 時(shí)鐘的低電平周期	4.7		μs
t_HI	SCL 時(shí)鐘的高電平周期	4		μs
t_RS-SU	（重復(fù)）START 條件的建立時(shí)間	4.7		μs
t_S-HD	（重復(fù)）START 條件的保持時(shí)間	4		μs
t_D-SU	數(shù)據(jù)建立時(shí)間	250		ns
t_D-HD	數(shù)據(jù)保持時(shí)間	0	3450	ns
t_SCL-R	SCL 信號(hào)的上升時(shí)間	20 + 0.1C_B	1000	ns
t_SCL-R1	重復(fù) START 條件和確認(rèn)位之后的 SCL 信號(hào)上升時(shí)間	20 + 0.1C_B	1000	ns
t_SCL-F	SCL 信號(hào)的下降時(shí)間	20 + 0.1C_B	1000	ns
t_SDA-R	SDA 信號(hào)的上升時(shí)間	20 + 0.1C_B	1000	ns
t_SDA-F	SDA 信號(hào)的下降時(shí)間	20 + 0.1C_B	1000	ns
t_P-SU	STOP 條件的建立時(shí)間	4		μs
C_B	每個(gè)總線的容性負(fù)載		400	pf
I²C 總線時(shí)序 - 快速
f_SCL	SCL 時(shí)鐘頻率		400	kHz
t_BUF	STOP 與 START 條件之間的總線空閑時(shí)間	1.3		μs
t_LOW	SCL 時(shí)鐘的低電平周期	1.3		μs
t_HI	SCL 時(shí)鐘的高電平周期	600		ns
t_RS-SU	（重復(fù)）START 條件的建立時(shí)間	600		ns
t_RS-HD	（重復(fù)）START 條件的保持時(shí)間	600		ns
t_D-SU	數(shù)據(jù)建立時(shí)間	100		ns
t_D-HD	數(shù)據(jù)保持時(shí)間	0	900	ns
t_SCL-R	SCL 信號(hào)的上升時(shí)間	20 + 0.1C_B	300	ns
t_SCL-R1	重復(fù) START 條件和確認(rèn)位之后的 SCL 信號(hào)上升時(shí)間	20 + 0.1C_B	300	ns
t_SCL-F	SCL 信號(hào)的下降時(shí)間	20 + 0.1C_B	300	ns
t_SDA-R	SDA 信號(hào)的上升時(shí)間	20 + 0.1C_B	300	ns
t_SDA-F	SDA 信號(hào)的下降時(shí)間	20 + 0.1C_B	300	ns
t_P-SU	STOP 條件的建立時(shí)間	600		ns
t_SP	所抑制尖峰的脈沖寬度		50	ns
C_B	每個(gè)總線的容性負(fù)載		400	pf