TAS5815 具有不同功率耗散的五種狀態(tài)，電氣特性 表中列出了這些狀態(tài)。
- 關(guān)斷模式。PDN 引腳下拉至 GND。所有內(nèi)部 LDO（數(shù)字內(nèi)核為 1.5V，模擬為 5V）禁用，所有寄存器清除至默認值。
注： 從關(guān)斷模式退出并重新進入播放模式時，需要按照啟動序列操作，然后再次重新加載所有寄存器配置（這些配置可以通過 PurePath Console3 生成）。
- 深度睡眠模式。寄存器 0x68h [1:0]=00，器件保持深度睡眠模式。在此模式下，I2C 塊和用于數(shù)字內(nèi)核的1.5V LDO 仍然工作，但內(nèi)部 5V LDO（用于 AVDD 和 MOSFET 柵極驅(qū)動器）已禁用，以實現(xiàn)低功率耗散。此模式可用于延長某些便攜式揚聲器應(yīng)用中的電池壽命。如果主機處理器長時間停止播放音頻，可以設(shè)置為深度睡眠模式以更大限度地降低功率耗散，直到主機處理器再次開始播放音頻。與關(guān)斷模式（將 PDN 拉至低電平）不同的是，進入或退出深度睡眠模式，DSP 保持運行狀態(tài)。
- 睡眠模式。寄存器 0x68h [1:0]=01，器件保持睡眠模式。在此模式下，I2 C 塊、數(shù)字內(nèi)核、DSP 存儲器、5V 模擬 LDO 仍然工作。與關(guān)斷模式（將 PDN 拉至低電平）不同的是，進入或退出睡眠模式，DSP 保持運行狀態(tài)。退出此模式并重新進入播放模式，只需設(shè)置寄存器 0x68h [1:0]=11。
- 輸出 Hi-Z 模式。寄存器 0x68h [1:0]=10，器件保持 Hi-Z 模式。在此模式下，只有輸出驅(qū)動器設(shè)置為 Hi-Z 狀態(tài)，所有其他塊都正常運行。退出此模式并重新進入播放模式，只需設(shè)置寄存器 0x68h [1:0]=11。
- 播放模式。寄存器 0x68h [1:0]=11，器件保持播放模式。