久久99热这里只有精品66,久久精品99久久久久

ZHCSTZ3A December 2023 – October 2025 RES11A

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDF|8

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

7.3.3 可預(yù)測(cè)電壓系數(shù)

RES11A 的電壓系數(shù)很大程度與自發(fā)熱有關(guān)，此時(shí)器件中的耗散功率會(huì)導(dǎo)致芯片溫度升高。如前所述，這種溫升的共性會(huì)導(dǎo)致每個(gè)電阻中發(fā)生相似的轉(zhuǎn)換，使得分壓器比率得以很好地保持。

通過(guò)在電阻器 R 兩端施加電壓 V，會(huì)造成相應(yīng)的功率耗散 P = V²/R，表現(xiàn)為器件芯片中的熱量。這些熱量會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫局部增加，進(jìn)而造成前面在溫度系數(shù)背景下討論過(guò)的相同參數(shù)轉(zhuǎn)換。TCR 指定為環(huán)境溫度的函數(shù)；因此，應(yīng)使用有效的結(jié)至環(huán)境熱阻來(lái)確定有效溫升，并計(jì)算標(biāo)稱或預(yù)期轉(zhuǎn)換。

方程式 16.

R_{expected} = R_{initial} + \frac{{V_{R}}^{2}}{R} \times R_{θJA effective} \times {TCR}_{abs} \times R_{initial}

如果同時(shí)偏置兩個(gè)分壓器，則必須在使用結(jié)至環(huán)境熱阻計(jì)算相關(guān)的結(jié)溫升之前，將兩個(gè) 分壓器的功率耗散相加。

下圖顯示了在各種電壓下所測(cè)試的一個(gè) RES11A40 器件的數(shù)據(jù)集。

圖 7-7 R_IN 電阻與分壓器電壓間的關(guān)系

圖 7-8 R_G 電阻與分壓器電壓間的關(guān)系

R 預(yù)期值與 R 實(shí)際值之間的差異描述了 R 的實(shí)際值與預(yù)期值不匹配錯(cuò)誤，這源自對(duì)電壓系數(shù)產(chǎn)生的非溫度相關(guān)影響。與對(duì)數(shù)放大器的對(duì)數(shù)一致性誤差或 ADC 的積分非線性誤差類似，該誤差描述了實(shí)際器件行為與可預(yù)測(cè)行為之間的偏差。雖然轉(zhuǎn)換的絕對(duì)幅度有所不同，但斜率或趨勢(shì)可以預(yù)測(cè)。請(qǐng)注意，測(cè)量噪聲和泄漏很容易增加測(cè)量誤差；請(qǐng)遵循最佳實(shí)踐，例如組裝后清潔和烘烤電路板，以更大限度地減少外部誤差并提高可重復(fù)性。

R 測(cè)量值的變化除以偏置電壓 V_R 的變化，即可計(jì)算電阻的有效電壓系數(shù)。例如，R_IN1 的電壓系數(shù)為 ΔR_IN1 除以 ΔV_RIN1。

方程式 17.

Voltage coefficient (?/V) = \frac{R_{final} - R_{initial}}{V_{R(final)} - V_{R(initial)}}

RES11A 電阻實(shí)際值和預(yù)期值失配與絕對(duì)電壓間的關(guān)系

圖 7-9 電阻實(shí)際值和預(yù)期值失配與絕對(duì)電壓間的關(guān)系

RES11A 電阻實(shí)際值和預(yù)期值失配與標(biāo)稱分壓器電壓間的關(guān)系

圖 7-10 電阻實(shí)際值和預(yù)期值失配與標(biāo)稱分壓器電壓間的關(guān)系

對(duì)每個(gè) R_x、t_D1、t_D2 和 t_M 重復(fù)此操作，計(jì)算與每個(gè)參數(shù)相關(guān)的電壓系數(shù)。例如，RES11A 的典型絕對(duì)電壓系數(shù)約為 ±0.24?/V（R_IN 和 R_G 的電壓系數(shù)）。當(dāng)從比例角度考慮時(shí)，t_D1 或 t_D2 的典型電壓系數(shù)為 ±0.4ppm/V，t_M 的電壓系數(shù)為 ±0.24ppm/V。