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ZHCSTE6B October 2023 – October 2025 RES11A-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDF|8

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

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7.3.1.1 絕對容差和比率式容差

RES11A-Q1 的電阻通過以下公式來描述：

方程式 10.

R_{IN1} = R_{INnom} \times (1+ t_{absRIN1}) = R_{INnom} \times (1+ t_{RIN1}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 11.

R_{IN2} = R_{INnom} \times (1+ t_{absRIN2}) = R_{INnom} \times (1+ t_{RIN2}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 12.

R_{G1} = R_{Gnom} \times (1+ t_{absRG1}) = R_{Gnom} \times (1+ t_{RG1}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 13.

R_{G2} = R_{Gnom} \times (1+ t_{absRG2}) = R_{Gnom} \times (1+ t_{RG2}) \times (1+ t_{SiCr})

R_Innom 和 R_Gnom 是每個電阻的標(biāo)稱值。參數(shù) t_abs 是誤差項，用于描述相關(guān) RES11A-Q1 電阻器的絕對容差，使得 |t_abs| ≤ 12%。例如，t_abs = 10% 的標(biāo)稱 1kΩ 電阻實(shí)際上測量為 1.1kΩ。此誤差類似于大多數(shù)單元件電阻器的指定絕對容差，或更專業(yè)的電阻分壓器的端到端容差。

注： RES11A-Q1 不是激光修整器件。RES11A-Q1 的每個比率都有一個專門針對該比率進(jìn)行優(yōu)化的獨(dú)特芯片，可提供實(shí)現(xiàn)極低溫漂所需的精確匹配和一致熱特性。

絕對容差主要取決于 SiCr 電阻率 (t_SiCr) 的變化。給定 RES11A-Q1 的四個電阻呈叉指狀，并且來自相同的晶圓區(qū)域；因此，t_SiCr 對于四個電阻中的每一個來說實(shí)際上相同，但 t_SiCr 因器件而異。

以下示例顯示，當(dāng)從比例角度考慮每個分壓器時，t_SiCr 誤差項會消失。參數(shù) t_Rx 是殘留誤差項，用于描述給定 RES11A-Q1 器件每個電阻的剩余有效容差（在考慮通用 t_SiCr 之后）。

方程式 14.

\frac{R_{Gx}}{R_{INx}} = \frac{R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx}) \times (1+ t_{SiCr})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr})} = \frac{R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx})} = G_{nom} \times \frac{(1+ t_{RGx})}{(1+ t_{RINx})} = G_{x}

方程式 15.

\frac{R_{INx}}{R_{INx} + R_{Gx}} = \frac{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr}) + R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx}) \times (1+ t_{SiCr})} = \frac{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) + R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx})}

t_RG1、t_RG2、t_RIN1 和 t_RIN2 的獨(dú)立值描述了每個電阻的容差，但不是高斯意義上的獨(dú)立變量。相反，這些值之間的匹配（根據(jù)設(shè)計）用于在電阻器之間實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的比率關(guān)系，從而提供極低誤差的有效比率。

RES11A-Q1 的 t_Dx 限制通過在生產(chǎn)過程中進(jìn)行的精確參數(shù)測試來強(qiáng)制實(shí)施，并使用 Kelvin 連接更好地抑制潛在的誤差源。由于生成的 t_D1 和 t_D2 值是更多的隨機(jī)誤差項，因此 t_D1 和 t_D2 可以被視為獨(dú)立的高斯分布，這使得這些變量對于誤差分析更有用。單元元件電阻器沒有與 t_Dx 等效的，因?yàn)槌藵u變限值之外，不考慮任何器件間匹配。在其他分頻器數(shù)據(jù)表中，t_Dx 的等效值通常稱為比率容差。

由于在最終測試階段時會篩除所有不符合這些標(biāo)準(zhǔn)的器件，因此從技術(shù)上講，這些公式可以結(jié)合方程式 14 用于證明給定器件的 t_Rx 值之間的其他關(guān)系（如有效最大限值）。但是，這一做法最終會得出過于保守的結(jié)果。為了使用平方根總和方法進(jìn)行更真實(shí)的統(tǒng)計分析，電氣特性 表的任意匹配 部分提供了一些額外電阻器與電阻器關(guān)系的測量標(biāo)準(zhǔn)偏差。有關(guān)實(shí)踐示例，請參閱節(jié) 8.1.3.2。