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ZHCSTE6A October 2023 – December 2023 RES11A-Q1

ADVMIX

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDF|8

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcste6a_oa

5.5 電氣特性

T_A = 25°C（除非另有說明）

參數(shù)		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
初始電阻
G_nom	標稱比率 (R_Gx/R_INx)	RES11A10			1		V/V
		RES11A15			1.5
		RES11A16			1.667
		RES11A20			2
		RES11A25			2.5
		RES11A30			3
		RES11A40			4
		RES11A50			5
		RES11A90			9
		RES11A00			10
t_D1	分壓器 1 的比率容差 ⁽¹⁾	(R_G1/R_IN1)/G_nom – 1	RES11A10			±500	ppm
			RES11A15			±500
			RES11A16			±500
			RES11A20			±500
			RES11A25			±500
			RES11A30			±500
			RES11A40		±120	±500
			RES11A50			±500
			RES11A90			±500
			RES11A00			±500
	分壓器 1 的分壓電路容差	(1 + G_nom) × (R_IN1/(R_IN1 + R_G1)) – 1	RES11A10			±500	ppm
			RES11A15			±500
			RES11A16			±500
			RES11A20			±500
			RES11A25			±500
			RES11A30			±500
			RES11A40		±100	±500
			RES11A50			±500
			RES11A90			±500
			RES11A00			±500
t_D2	分壓器 2 的比率容差 ⁽¹⁾	(R_G2/R_IN2)/G_nom – 1	RES11A10			±500	ppm
			RES11A15			±500
			RES11A16			±500
			RES11A20			±500
			RES11A25			±500
			RES11A30			±500
			RES11A40		±120	±500
			RES11A50			±500
			RES11A90			±500
			RES11A00			±500
	分壓器 2 的分壓電路容差	(1 + G_nom) × (R_IN2/(R_IN2 + R_G2)) – 1	RES11A10			±500	ppm
			RES11A15			±500
			RES11A16			±500
			RES11A20			±500
			RES11A25			±500
			RES11A30			±500
			RES11A40		±100	±500
			RES11A50			±500
			RES11A90			±500
			RES11A00			±500
t_M	分壓器 1 和 2 的匹配容差	t_D2 – t_D1	RES11A10			±1000	ppm
			RES11A15			±1000
			RES11A16			±1000
			RES11A20			±1000
			RES11A25			±1000
			RES11A30			±1000
			RES11A40		±85	±1000
			RES11A50			±1000
			RES11A90			±1000
			RES11A00			±1000
t_abs	絕對容差（每電阻）⁽²⁾	(R_x/R_xnom) – 1 ⁽³⁾			±2	±12	%
	絕對容差范圍	MAX (t_absRIN1, t_absRG1, t_absRIN2, t_absRG2) – MIN (t_absRIN1, t_absRG1, t_absRIN2, t_absRG2)			±235		ppm
電阻漂移
	電阻的絕對溫度系數(shù)（每電阻）⁽⁴⁾	(ΔR_x/R_x(25°C))/ΔT_A	T_A = –40°C 至 +125°C		±18		ppm/°C
	電阻的分壓器溫度系數(shù)（每分壓器）⁽⁴⁾	Δt_Dx/ΔT_A	T_A = –40°C 至 +125°C		-0.2	±2	ppm/°C
TCR	電阻的匹配溫度系數(shù) ⁽⁴⁾	Δt_M/ΔT_A	T_A = –40°C 至 +125°C		±0.05		ppm/°C
	電阻的絕對電壓系數(shù)（每電阻）⁽²⁾ ⁽⁴⁾	ΔR_INx/ΔV_RINx	V_RINx = 0V 至 V_RINx = 40V		±0.02		?/V
	電阻的絕對電壓系數(shù)（每電阻）⁽²⁾ ⁽⁴⁾	ΔR_Gx/(ΔV_RGx × G_nom)	V_RGx = 0V 至 V_RGx = 40V		±0.02		?/V
	電阻的分壓器電壓系數(shù)（每分壓器）⁽⁴⁾	Δt_Dx/ΔV_Dx	V_Dx = 0V 至 V_Dx = 40V		±2		ppm/V
VCR	電阻的匹配電壓系數(shù) ⁽⁴⁾	(Δt_D2 – Δt_D1)/ΔV_Dx	V_Dx = 0V 至 V_Dx = 40V		±0.5		ppm/V
阻抗
C_IN	引腳電容 ⁽⁴⁾	RINx 至 GND/SUB			2.2		pF
		RGx 至 GND/SUB			1.6
		RMIDx 至 GND/SUB			3.3
	串擾（RMID1 至 RMID2）⁽⁴⁾	基板偏置到 GND	f = 10kHz		-100		dB
		基板偏置到 GND	f = 1MHz		-64
		基板懸空	f = 10kHz		–98
		基板懸空	f = 1MHz		-56
	–3dB 帶寬 ⁽⁴⁾	基板偏置到 GND			35		MHz
	–3dB 帶寬 ⁽⁴⁾	基板懸空			40		MHz
CMRR	共模抑制比 ⁽⁵⁾	RES11A10		66.0			dB
		RES11A15		68.0
		RES11A16		68.5
		RES11A20		69.5
		RES11A25		70.9
		RES11A30		72.0
		RES11A40		74.0	95.4
		RES11A50		75.6
		RES11A90		80.0
		RES11A00		80.8

(1) R_G1/R_IN1 或 R_G2/R_IN2 與標稱比率的關(guān)系。

(2) R_G1、R_IN1、R_G2 或 R_IN2 與標稱電阻的關(guān)系。

(3) 規(guī)格是該表達式的結(jié)果，以百分比（乘以 100%）的形式給出。

(4) 根據(jù)特征確定。

(5) 規(guī)格是在差分放大器配置中實現(xiàn)且采用理想運算放大器時計算出的 CMRR，使得共模誤差僅來自電阻網(wǎng)絡(luò)。有關(guān)更多信息，請參閱使用精密匹配電阻分壓器對優(yōu)化差分放大器電路中的 CMRR 應(yīng)用手冊。對頻率的影響不包括在內(nèi)。如果電路配置為衰減增益，該結(jié)果會相應(yīng)地改變。