ZHCSLY1E February 2020 – October 2025 LM61480-Q1 , LM61495-Q1 , LM62460-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RPH|16
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RPH|16
訂購信息
8.2.2.5 輸入電容器選型
除了提供紋波電流并將開關噪聲與其他電路隔離，陶瓷輸入電容器還為穩(wěn)壓器提供低阻抗源。LM6x4xx-Q1 的輸入中，陶瓷電容最低為 10μF。使用 2 個 10μF 或更大的陶瓷電容器以提高 EMI 性能。電容器的額定電壓必須至少為應用所需的最大輸入電壓。最好具有兩倍的最大輸入電壓，以減少直流偏置降額?？梢栽龃笤撾娙菀詭椭档洼斎腚妷杭y波，并在負載瞬態(tài)期間保持輸入電壓。此外，必須在緊鄰穩(wěn)壓器的每個輸入/接地引腳對（VIN1/PGND1 和 VIN2/PGND2）使用一個小外殼尺寸（0603 或 0402）的陶瓷電容器。電容器的額定電壓必須至少是最大輸入電壓的兩倍，以盡可能減少降額。電容器還必須具有 X7R 或更佳的電介質。使用這些參數(shù)選擇最高電容器容值。這提供了高頻旁路，可減少開關節(jié)點振鈴和電磁干擾發(fā)射。QFN (RJR) 封裝在其兩側提供兩個輸入電壓引腳和兩個電源接地引腳。這樣可以拆分輸入電容器，并針對內部功率 MOSFET 實現(xiàn)正確放置，從而提高輸入旁路的有效性。該示例在每個 VIN/PGND 引腳對上放置了兩個 10μF、50V、1206、X7R 陶瓷電容器和兩個 0.47μF、50V、0603、X7R 陶瓷電容器。
通常最好在輸入端使用與陶瓷電容器并聯(lián)的電解電容器。如果使用長引線或布線將輸入電源連接到穩(wěn)壓器，情況尤其如此。該電容器的中等 ESR 有助于抑制由長電源引線的電感引起的輸入電源上的振鈴。使用這個額外的電容器還有助于處理由具有異常高阻抗的輸入電源引起的瞬時電壓驟降。
大多數(shù)輸入開關電流流經(jīng)陶瓷輸入電容器?？梢允褂?方程式 8 計算該電流的近似最壞情況 RMS 值。必須對照制造商的最大額定值來檢查此值。
