ZHCSLY1E February 2020 – October 2025 LM61480-Q1 , LM61495-Q1 , LM62460-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RPH|16
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RPH|16
訂購信息
7.3.12 過流和短路保護
LM6x4xx-Q1 通過針對高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護。
高側(cè) MOSFET 過流保護是通過峰值電流模式控制的特性來實現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時間后導(dǎo)通時，將檢測到高側(cè)開關(guān)電流。在每個開關(guān)周期，將高側(cè)開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點的最小值，或與電壓調(diào)節(jié)環(huán)路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。由于電壓環(huán)路具有最大值并且斜率補償隨占空比增加，因此如果占空比高于 35%，高側(cè)電流限值會隨著占空比的增加而減小。請參閱圖 7-15。
圖 7-15 允許流經(jīng) HS FET 的最大電流 - LM62460-Q1 占空比的函數(shù)當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)接通時，也會檢測和監(jiān)控流經(jīng)該開關(guān)的電流。與高側(cè)器件一樣，電壓控制環(huán)路會命令低側(cè)器件關(guān)斷。對于低側(cè)器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關(guān)周期，也會在電流超過此值時阻止關(guān)斷。請參閱節(jié) 7.4.3.4。與高側(cè)器件一樣，關(guān)斷電流的高低也受到限制。這稱為低側(cè)電流限制；有關(guān)值，請參閱電氣特性。如果超出 LS 電流限值，LS MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，HS 開關(guān)不會導(dǎo)通。LS 開關(guān)在 LS 電流降至限值以下后關(guān)斷。只要自 HS 器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過一個時鐘周期 HS 開關(guān)就會再次導(dǎo)通。
圖 7-16 電流限值波形高側(cè)和低側(cè)限流運行的最終影響是 IC 在遲滯控制下運行。由于電流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之間，因此除非占空比非常高，否則輸出電流接近這兩個值的平均值。在電流限制下運行之后將使用遲滯控制，并且電流不會隨著輸出電壓接近零而增加。
如果占空比非常高，則電流紋波必須非常低以防止不穩(wěn)定；請參閱節(jié) 8.2.2.3。由于電流紋波較低，因此該器件能夠提供全電流。提供的電流非常接近 IL-LS。
一旦消除過載，器件就會像在軟啟動中一樣恢復(fù)；請參閱節(jié) 7.3.11。請注意，如果輸出電壓降至預(yù)期輸出電壓的大約 0.4 倍以下，則會觸發(fā)斷續(xù)。