將控制器盡可能地靠近功率 MOSFET 放置以最大限度地縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器布線長(zhǎng)度，如此一來，與模擬和反饋信號(hào)以及電流檢測(cè)相關(guān)的分量便可以通過如下方式加以考慮：
- 分離電源和信號(hào)跡線，并使用接地平面來提供噪聲屏蔽。
- 將與 COMP1、COMP2、FB1、FB2、CS1、CS2、SS1、SS2、RES 和 RT 相關(guān)的所有敏感模擬跡線和元件遠(yuǎn)離高壓開關(guān)節(jié)點(diǎn)（例如 SW1、SW2、HO1、HO2、LO1、LO2、HB1 或 HB2）放置，避免相互耦合。使用內(nèi)部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線與電源跡線和元件隔離開來。
- 將上反饋電阻器和下反饋電阻器（需要時(shí)）靠近相應(yīng)的 FB 引腳放置，從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到相應(yīng)負(fù)載處所需的輸出電壓感測(cè)點(diǎn)上。
- 以差分對(duì)形式布放 CS1、CS2、VOUT1 和 VOUT2 跡線，從而更大限度地減少噪聲拾取，并使用開爾文連接方式連接到適用的分流電阻器（如果進(jìn)行的是分流電流檢測(cè)）或連接到檢測(cè)電容器（如果進(jìn)行的是電感器 DCR 電流檢測(cè)）。
- 盡可能地縮小從 VCC1、VCC2 和 VIN 引腳通過相應(yīng)去耦電容器到相關(guān) PGND 引腳的環(huán)路面積。將這些電容器盡可能靠近 LM5143A-Q1 放置。