ZHCSQC8 May 2022 LM5143A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框圖
- 9.3
特性說明
- 9.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 9.3.2 高壓偏置電源穩(wěn)壓器（VCC、VCCX、VDDA）
- 9.3.3 使能（EN1、EN2）
- 9.3.4 電源正常監(jiān)視器（PG1、PG2）
- 9.3.5 開關(guān)頻率 (RT)
- 9.3.6 時(shí)鐘同步 (DEMB)
- 9.3.7 同步輸出 (SYNCOUT)
- 9.3.8 擴(kuò)頻調(diào)頻 (DITH)
- 9.3.9 可配置軟啟動（SS1、SS2）
- 9.3.10 輸出電壓設(shè)定點(diǎn)（FB1、FB2）
- 9.3.11 最短可控導(dǎo)通時(shí)間
- 9.3.12 誤差放大器和 PWM 比較器（FB1、FB2、COMP1、COMP2）
- 9.3.13 斜率補(bǔ)償
- 9.3.14 電感器電流感測（CS1、VOUT1、CS2、VOUT2）
- 9.3.15 斷續(xù)模式電流限制 (RES)
- 9.3.16 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器（HO1、HO2、LO1、LO2、HOL1、HOL2、LOL1 和 LOL2）
- 9.3.17 輸出配置 (MODE, FB2)
- 9.4 器件功能模式
- 10應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|40
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|40
訂購信息
9.3.16 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器（HO1、HO2、LO1、LO2、HOL1、HOL2、LOL1 和 LOL2）
LM5143A-Q1 包含 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器和一個(gè)關(guān)聯(lián)的高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器來驅(qū)動外部 N 溝道 MOSFET。將高側(cè)柵極驅(qū)動器與外部自舉二極管 DBST 和自舉電容器 CBST 搭配使用。請參閱#SNVSA023747。在低側(cè) MOSFET 的導(dǎo)通間隔期間，SW 電壓約為 0V，而 CBST 通過 DBST 從 VCC 充電。TI 建議使用短跡線在 HB 和 SW 引腳之間連接一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器。
LO 和 HO 輸出由自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間方法進(jìn)行控制，因此兩個(gè)輸出（HO 和 LO）絕不會同時(shí)啟用，從而防止出現(xiàn)跨導(dǎo)。當(dāng)啟用控制器命令 LO 時(shí)，自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間邏輯會先禁用 HO 并等待 HO-SW 電壓降至 2.5V（典型值）以下。然后，LO 會在短暫延遲（HO 下降至 LO 上升延遲）后啟用。同樣，HO 導(dǎo)通會延遲，直到 LO 電壓降至 2.5V 以下。然后，HO 會在短暫延遲（LO 下降至 HO 上升延遲）后啟用。這項(xiàng)技術(shù)可確保任何尺寸的 N 溝道 MOSFET 組件或并聯(lián) MOSFET 配置具有足夠的死區(qū)時(shí)間。
添加串聯(lián)柵極電阻器時(shí)要格外小心，因?yàn)檫@可能導(dǎo)致有效死區(qū)時(shí)間縮短。每個(gè)高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器都具有獨(dú)立的驅(qū)動器拉電流和灌電流輸出引腳，讓用戶可以調(diào)整驅(qū)動強(qiáng)度以優(yōu)化開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)最大效率并控制壓擺率以減少 EMI 信號。所選的 N 溝道高側(cè) MOSFET 確定了#SNVSA023747 中的相應(yīng)自舉電容值 CBST，如#SNVSB297118 所示。
其中
- QG 是高側(cè) MOSFET 在適用柵極驅(qū)動電壓下的總柵極電荷。
- ΔVBST 是高側(cè) MOSFET 驅(qū)動器在導(dǎo)通后的電壓變化。
若要確定 CBST，請選擇合適的 ΔVBST，使可用的柵極驅(qū)動電壓不會受到顯著影響。ΔVBST 的可接受范圍為 100mV 至 300mV。自舉電容器必須為低 ESR 陶瓷電容器，典型值為 0.1μF。請使用具有邏輯電平柵極閾值電壓的高側(cè)和低側(cè) MOSFET。