ZHCSX66A October 2024 – February 2025 LM251772
PRODUCTION DATA
輸入側 MOSFET QH1 (Q1)和 QL1 (Q2) 需要承受 48V 的最大輸入電壓。此外,它們還必須承受開關期間 SW1 上的瞬態(tài)尖峰。因此,QH1 和 QL1 的額定電壓必須為 58V 或更高。MOSFET 的柵極平坦電壓必須小于轉換器的最小輸入電壓,否則,MOSFET 在啟動或過載情況下可能無法完全增強。
升壓模式下 QH1 中的功率損耗根據以下公式進行近似計算:
降壓模式下 QH1 中的功率損耗分別由方程式 44 和方程式 45 給出的導通損耗和開關損耗分量組成:
上升 (tr) 和下降 (tf) 時間基于 MOSFET 數據表信息或在實驗室中進行測量。通常,RDSON 較小(導通損耗較?。┑?MOSFET 具有較長的上升和下降時間(開關損耗較大)。
降壓運行模式下 QL1 中的功率損耗如方程式 46 所示: