ZHCSN93A March 2023 – January 2025 DRV8952
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 封裝散熱注意事項(xiàng)
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
5.5 電氣特性
典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 條件下的值。除非另有說(shuō)明，否則所有限值都是在推薦工作條件下的限值。
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓（VM、DVDD） | ||||||
| IVM | VM 工作電源電流 | nSLEEP = 1，無(wú)負(fù)載，VCC = 外部 5V | 4 | 7 | mA | |
| nSLEEP = 1，無(wú)負(fù)載，VCC = DVDD | 6 | 9 | ||||
| IVMQ | VM 睡眠模式電源電流 | nSLEEP = 0 | 3 | 8 | μA | |
| tSLEEP | 睡眠時(shí)間 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 120 | μs | ||
| tRESET | nSLEEP 復(fù)位脈沖 | nSLEEP 低電平至清除故障 | 20 | 40 | μs | |
| tWAKE | 喚醒時(shí)間 | nSLEEP = 1 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.85 | 1.2 | ms | |
| tON | 導(dǎo)通時(shí)間 | VM > UVLO 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.85 | 1.3 | ms | |
| VDVDD | 內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓 | 無(wú)外部負(fù)載，6V < VVM < 55V | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
| 無(wú)外部負(fù)載，VVM = 4.5V | 4.35 | 4.45 | V | |||
| 電荷泵（VCP、CPH、CPL） | ||||||
| VVCP | VCP 工作電壓 | 6 V < VVM < 55 V | VVM + 5 | V | ||
| f(VCP) | 電荷泵開(kāi)關(guān)頻率 | VVM > UVLO；nSLEEP = 1 | 360 | kHz | ||
| 邏輯電平輸入（IN1、IN2、IN3、IN4、EN1、EN2、EN3、EN4、MODE、OCPM、nSLEEP） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.6 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入邏輯遲滯（除 nSLEEP 以外的所有引腳） | 100 | mV | |||
VHYS_nSLEEP | nSLEEP 邏輯遲滯 | 300 | mV | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電平電流 | VIN = DVDD | 50 | μA | ||
t1 | ENx 高電平到 OUTx 高電平延遲 | INx = 1 | 2 | μs | ||
t2 | ENx 低電平到 OUTx 低電平延遲 | INx = 1 | 2 | μs | ||
t3 | ENx 高電平到 OUTx 低電平延遲 | INx = 0 | 2 | μs | ||
t4 | ENx 低電平到 OUTx 高電平延遲 | INx = 0 | 2 | μs | ||
t5 | INx 高電平到 OUTx 高電平延遲 | 600 | ns | |||
| t6 | INx 低電平到 OUTx 低電平延遲 | 600 | ns | |||
| 控制輸出 (nFAULT) | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電平電壓 | IO = 5mA | 0.35 | V | ||
| IOH | 輸出邏輯高電平漏電流 | -1 | 1 | μA | ||
| 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輸出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4） | ||||||
| RDS(ONH) | 高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | TJ = 25°C、IO = -5A | 54 | 63 | mΩ | |
| TJ = 125°C、IO = -5A | 80 | 94 | mΩ | |||
| TJ = 150°C、IO = -5A | 90 | 105 | mΩ | |||
| RDS(ONL) | 低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | TJ = 25°C、IO = 5A | 58 | 66 | mΩ | |
| TJ = 125°C、IO = 5A | 85 | 98 | mΩ | |||
| TJ = 150°C、IO = 5A | 94 | 107 | mΩ | |||
| tRF | 輸出上升/下降時(shí)間 | 在 DDW 封裝或 PWP 封裝中，IO = 5A、MODE = 0、介于 10% 和 90% 之間 | 140 | ns | ||
| 對(duì)于 DDW 封裝，IO = 5A，MODE = 1，介于 10% 和 90% 之間 | 70 | ns | ||||
tD | 輸出死區(qū)時(shí)間 | VM = 24V，IO = 5A | 300 | ns | ||
| 電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)（IPROPI、VREF） | ||||||
AIPROPI | 電流鏡增益 | 212 | μA/A | |||
KV | 跨阻增益 | VREF = 3.3V，PWP 封裝 | 0.625 | 0.66 | 0.695 | V/A |
AERR | 電流鏡比例誤差 | 10% 至 20% 額定電流 | -7 | 9 | % | |
20% 至 40% 額定電流 | -4 | 6 | ||||
40% 至 100% 額定電流 | -3.5 | 5 | ||||
IVREF | VREF 漏電流 | VREF = 3.3V | 20 | nA | ||
tOFF | PWM 關(guān)斷時(shí)間 | 16 | μs | |||
tDEG | 電流調(diào)節(jié)抗尖峰脈沖時(shí)間 | 0.5 | μs | |||
tBLK | 電流調(diào)節(jié)消隱時(shí)間 | 1.5 | μs | |||
tDELAY | 電流檢測(cè)延遲時(shí)間 | 2 | μs | |||
| 保護(hù)電路 | ||||||
| VUVLO | VM UVLO 鎖定 | VM 下降 | 4.1 | 4.23 | 4.35 | V |
| VM 上升 | 4.2 | 4.35 | 4.47 | |||
| VCCUVLO | VCC UVLO 鎖定 | VCC 下降 | 2.7 | 2.8 | 2.9 | V |
VCC 上升 | 2.75 | 2.92 | 3.05 | |||
| VUVLO,HYS | 欠壓遲滯 | 上升至下降閾值 | 110 | mV | ||
| VCPUV | 電荷泵欠壓 | VCP 下降 | VVM + 2 | V | ||
| IOCP | 過(guò)流保護(hù) | 流經(jīng)任何 FET 的電流 | 7.6 | A | ||
| tOCP | 過(guò)流檢測(cè)延遲 | 2.2 | μs | |||
tRETRY | 過(guò)流重試時(shí)間 | 4.1 | ms | |||
| TOTSD | 熱關(guān)斷 | 內(nèi)核溫度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
| THYS_OTSD | 熱關(guān)斷遲滯 | 內(nèi)核溫度 TJ | 20 | °C | ||
圖 5-1 IPROPI 時(shí)序圖