ZHCSN93A March 2023 – January 2025 DRV8952
PRODUCTION DATA
對于具有高側(cè)再循環(huán)功能的 H 橋，每個 FET 的功率損耗近似值計(jì)算如下：
PHS1 = RDS(ON) × IL2
PLS1 = 0
PHS2 = [RDS(ON) × IL2 × (1 – D)] + [2 × VD × IL × tD × fPWM]
PLS2 = [RDS(ON) × IL2 × D] + [VM × IL × tRF × fPWM]
對于估算反向負(fù)載電流的功率損耗，可采用相同的公式，僅將 HS1 與 HS2 和 LS1 與 LS2 互換。
在上面的公式中替換以下值：
VM = 24 V
IL = 4A
RDS(ON) = 56mΩ
D = 0.5
VD = 1V
tD = 300ns
tRF = 140ns
fPWM = 20kHz
每個 FET 中的損耗可按以下公式計(jì)算：
PHS1 = 56mΩ × 42 = 0.896W
PLS1 = 0
PHS2 = [56mΩ × 42 x (1-0.5)] + [2 x 1V x 4A x 300ns x 20KHz] = 0.496W
PLS2 = [ 56mΩ × 42 x 0.5] + [24 x 4A x 140ns x 20kHz] = 0.717W
靜態(tài)電流損耗 PQ = 24V × 4mA = 0.096W
PTOT = 2 × (PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2) + PQ = 2 × (0.896 + 0 + 0.496 + 0.717) + 0.096 = 4.314W