ZHCSJX2B August 2019 – January 2021 DRV8876-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
即使發(fā)生了硬短路事件,每個 MOSFET 上的模擬電流限制電路也會限制器件輸出的峰值電流。
如果輸出電流超過過流閾值 IOCP 且持續(xù)時間超過 tOCP,則會禁用 H 橋中的所有 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動為低電平??梢酝ㄟ^ IMODE 引腳配置過流響應,如表 7-6 中所示。
在自動重試模式下,MOSFET 會被禁用,nFAULT 引腳將在 tRETRY 的持續(xù)時間內(nèi)被驅(qū)動為低電平。在 tRETRY 之后,系統(tǒng)會根據(jù) EN/IN1 和 PH/IN2 引腳的狀態(tài)重新啟用 MOSFET。 如果過流條件仍然存在,則會重復此周期,否則器件將恢復正常運行。
在鎖閉模式下,會一直禁用 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動為低電平,直到通過 nSLEEP 引腳或通過切斷 VM 電源重置器件為止。
在GUID-E5847102-CDA3-4494-9086-0B0D60F91EB3.html#GUID-E5847102-CDA3-4494-9086-0B0D60F91EB3中,OCP 行為略有改動。如果檢測到過流事件,將只禁用相應的半橋并將 nFAULT 引腳驅(qū)動為低電平。另一個半橋會繼續(xù)正常運行。這樣,器件就可以在驅(qū)動獨立的負載時管理獨立的故障事件。如果在兩個半橋中都檢測到過流事件,將同時禁用兩個半橋并將 nFAULT 引腳驅(qū)動為低電平。在自動重試模式下,兩個半橋共享同一個過流重試計時器。如果兩個半橋先后發(fā)生過流事件但 tRETRY 尚未過期,則第一個半橋的重試計時器會重置為 tRETRY;當此重試計時器過期之后,兩個半橋?qū)⒃俅瓮瑫r啟用。