ZHCSJX2B August 2019 – January 2021 DRV8876-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
此器件的輸出電流和功率耗散能力在很大程度上取決于 PCB 設計和外部系統(tǒng)狀況。本節(jié)提供了一些用于計算這些值的指導信息。
此器件的總功率耗散由三個主要部分組成。這三個組成部分是靜態(tài)電源電流損耗、功率 MOSFET 開關(guān)損耗和功率 MOSFET RDS(on)(導通)損耗。雖然其他因素可能會造成額外的功率損耗,但與這三個主要因素相比,其他因素通常并不重要。
可以根據(jù)標稱電源電壓 (VM) 和 IVM 活動模式電流規(guī)格來計算 PVM。
可以根據(jù)標稱電源電壓 (VM)、平均輸出電流 (IRMS)、開關(guān)頻率 (fPWM) 以及器件輸出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 時間規(guī)格來計算 PSW。
可以根據(jù)器件 RDS(on) 和平均輸出電流 (IRMS) 來計算 PRDS。
需要注意的是,RDS(ON) 與器件的溫度密切相關(guān)??梢栽凇暗湫吞匦浴鼻€中找到一條顯示了標稱 RDS(on) 和溫度的曲線。假設器件溫度為 85°C,根據(jù)標稱溫度數(shù)據(jù),預計 RDS(on) 會增大約 1.25 倍。
通過將功率耗散的各個組成部分相加,可以確認預計的功率耗散和器件結(jié)溫處于設計目標內(nèi)。
可以使用 PTOT、器件環(huán)境溫度 (TA) 和封裝熱阻 (RθJA) 來計算器件結(jié)溫。RθJA 的值在很大程度上取決于 PCB 設計以及器件周圍的銅散熱器。
應確保器件結(jié)溫處于指定的工作范圍內(nèi)。也可以通過其他方法根據(jù)可用的測量結(jié)果來確認器件結(jié)溫。
可以在GUID-D21D46A0-AEEC-43C5-9005-77A051CDC962.html#GUID-D21D46A0-AEEC-43C5-9005-77A051CDC962和GUID-D09A7830-8AC5-4635-8598-E7B0F55FE637.html#GUID-D09A7830-8AC5-4635-8598-E7B0F55FE637中找到有關(guān)電機驅(qū)動器電流額定值和功率耗散的其他信息。