ZHCSJX2B August 2019 – January 2021 DRV8876-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
如果裸片溫度超過(guò)過(guò)熱限值 TTSD,則會(huì)禁用 H 橋中的所有 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平。當(dāng)過(guò)熱條件消失且裸片溫度降至 VTSD 閾值以下時(shí),將恢復(fù)正常運(yùn)行。