IPROPI 引腳會(huì)輸出與流經(jīng) H 橋中的低側(cè)功率 MOSFET 的電流成正比并經(jīng)過 A_IPROPI 調(diào)節(jié)的模擬電流?？梢允褂?a xmlns:opentopic="http://www.idiominc.com/opentopic" class="xref" href="#T4623489-18">Equation1 計(jì)算出 IPROPI 輸出電流。只有當(dāng)電流在低側(cè) MOSFET 中從漏極流向源極時(shí)，Equation1 中的 I_LSx 才有效。如果電流從源極流向漏極，則該通道的 I_LSx 值為零。例如，如果電橋處于制動(dòng)、慢速衰減狀態(tài)，則 IPROPI 外的電流僅與其中一個(gè)低側(cè) MOSFET 中的電流成正比。

此電流由內(nèi)部電流鏡架構(gòu)測(cè)得，無需使用外部功率感測(cè)電阻器。此外，電流鏡架構(gòu)還允許在驅(qū)動(dòng)和制動(dòng)低側(cè)慢速衰減期間感測(cè)電機(jī)繞組電流，從而在典型雙向有刷直流電機(jī)應(yīng)用中持續(xù)監(jiān)測(cè)電流。在滑行模式下，電流是續(xù)流電流，無法被感測(cè)到，原因是電流從源極流向漏極。但是，可以在驅(qū)動(dòng)或慢速衰減模式下短暫重新啟用驅(qū)動(dòng)器，并在再次切換回滑行模式之前測(cè)量此電流，從而對(duì)電流進(jìn)行采樣。當(dāng)處于獨(dú)立的 PWM 模式且兩個(gè)低側(cè) MOSFET 同時(shí)傳導(dǎo)電流時(shí)，IPROPI 輸出將是這兩個(gè)低側(cè) MOSFET 電流的總和。

應(yīng)將 IPROPI 引腳連接到外部電阻器 (R_IPROPI) 以接地，從而利用 I_IPROPI 模擬電流輸出在 IPROPI 引腳上產(chǎn)生一個(gè)成比例電壓 (V_IPROPI)。這樣即可使用標(biāo)準(zhǔn)模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 將負(fù)載電流作為 R_IPROPI 電阻器兩端的壓降進(jìn)行測(cè)量?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用中的預(yù)期負(fù)載電流來調(diào)節(jié) R_IPROPI 電阻器的大小，以利用控制器 ADC 的整個(gè)量程。此外，DRV887x-Q1 器件還采用了一個(gè)內(nèi)部 IPROPI 電壓鉗位電路，可相對(duì)于 VREF 引腳上的 V_VREF 限制 V_IPROPI，并在發(fā)生輸出過流或意外高電流事件時(shí)保護(hù)外部 ADC。

可以使用Equation2 計(jì)算對(duì)應(yīng)于輸出電流的 IPROPI 電壓。

圖 7-2 集成電流感測(cè)

IPROPI 輸出帶寬受 DRV887x-Q1 內(nèi)部電流感測(cè)電路感測(cè)延遲時(shí)間 (t_DELAY) 的限制。此時(shí)間是指從低側(cè) MOSFET 啟用命令（來自 PH/EN 引腳的 INx）到 IPROPI 輸出準(zhǔn)備就緒這兩個(gè)時(shí)間點(diǎn)之間的延遲。在 H 橋 PWM 信號(hào)中，如果器件在驅(qū)動(dòng)和慢速衰減（制動(dòng)）之間交替切換，則感測(cè)電流的低側(cè) MOSFET 會(huì)持續(xù)導(dǎo)通，但感測(cè)延遲時(shí)間對(duì) IPROPI 輸出不會(huì)產(chǎn)生任何影響。如果 INx 或 PH/EN 引腳上的命令禁用低側(cè) MOSFET（根據(jù)GUID-556086C0-A02B-411F-89B8-0717A6F71E18.html#GUID-556086C0-A02B-411F-89B8-0717A6F71E18中的邏輯表），則 IPROPI 輸出將與輸入邏輯信號(hào)一同禁用。雖然低側(cè) MOSFET 在根據(jù)器件壓擺率（在“電氣特性”表中以 t_RISE 時(shí)間表示）禁用時(shí)仍可能傳導(dǎo)電流，但 IPROPI 并不表示此關(guān)斷時(shí)間內(nèi)低側(cè) MOSFET 中的電流。