ZHCSJX2B August 2019 – January 2021 DRV8876-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
DRV887x-Q1 系列器件提供了三種模式,支持對 EN/IN1 和 PH/IN2 引腳采用不同的控制方案。通過 PMODE 引腳選擇控制模式:邏輯低電平、邏輯高電平或者設(shè)置引腳高阻抗,如表 7-2 中所示。通過 nSLEEP 引腳啟用器件之后,PMODE 引腳狀態(tài)會(huì)被鎖存。通過設(shè)置 nSLEEP 引腳邏輯低電平、等待 tSLEEP 時(shí)間、更改 PMODE 引腳輸入,然后將 nSLEEP 引腳恢復(fù)為邏輯高電平以啟用器件,可以更改 PMODE 的狀態(tài)。
圖 7-1 H 橋狀態(tài)輸入端可接受 100% 或 PWM 驅(qū)動(dòng)模式的靜態(tài)或脈寬調(diào)制 (PWM) 電壓信號。在應(yīng)用 VM 之前,可以為器件輸入引腳供電而不會(huì)出現(xiàn)任何問題。默認(rèn)情況下,EN/IN1 和 PH/IN2 引腳具有一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器,可確保在不存在任何輸入時(shí)提供高阻抗輸出。
以下部分提供了每種控制模式的真值表。請注意,這些表并未考慮內(nèi)部電流調(diào)節(jié)功能。此外,當(dāng)在半橋的高側(cè)和低側(cè) MOSFET 之間切換時(shí),DRV887x-Q1 系列器件會(huì)自動(dòng)生成死區(qū)時(shí)間。
#X3613 介紹了各種 H 橋狀態(tài)的命名和配置。