ZHCSLW7B August 2022 – October 2023 DRV8462
PRODUCTION DATA
在 PWM 電流斬波期間,將啟用 H 橋以驅(qū)動電流流過電機繞組,直至達到斬波電流閾值。圖 7-13 的項目 1 中展示了這種情況。
一旦達到斬波電流閾值后,H 橋可在兩種不同的狀態(tài)下運行:快速衰減或慢速衰減。
在快速衰減模式下,一旦達到 PWM 斬波電流電平,H 橋便會通過導(dǎo)通對側(cè)的 MOSFET 進行狀態(tài)逆轉(zhuǎn),使繞組電流反向流動。由于繞組電流接近零,因此會禁用該電橋,以防止進一步出現(xiàn)反向流動的電流。圖 7-13 的項目 2 中展示了快速衰減模式。
在慢速衰減模式下,通過啟用 H 橋中的兩個低側(cè) MOSFET 來實現(xiàn)繞組電流的再循環(huán)。圖 7-13 的項目 3 中展示了這種情況。
衰減模式通過 DECAY 寄存器或者 DECAY0 和 DECAY1 引腳來選擇,如表 7-19 所示。該器件支持動態(tài)更改衰減模式。
SPI 接口 | H/W 接口 | 衰減模式 | |
|---|---|---|---|
| DECAY | DECAY0 | DECAY1 | |
| 000b | 高阻態(tài) | 1 | 慢速衰減 |
| 100b | 1 | 0 | 混合衰減:快 30% |
| 101b | 高阻態(tài) | 0 | 混合衰減:快 60% |
| 110b | 0 | 0 | 智能調(diào)優(yōu)動態(tài)衰減 |
| 111b(默認值) | 0 | 1 | 智能調(diào)優(yōu)紋波控制 |
DECAY 位的其余設(shè)置(001b、010b、011b)和(DECAY0 = 1,DECAY1 = 1)設(shè)置被保留。
DRV8462 還具有靜音步進衰減模式,可在低速和靜止?fàn)顟B(tài)下實現(xiàn)超靜音運行。有關(guān)詳細信息,請參閱靜音步進衰減模式。