ZHCSLW7B August 2022 – October 2023 DRV8462
PRODUCTION DATA
如果已知環(huán)境溫度 TA 和總功率損耗 (PTOT)，則結(jié)溫 (TJ) 的計(jì)算公式為：
TJ = TA + (PTOT x RθJA)
在一個(gè)符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 4 層 PCB 中，采用 DDW 封裝時(shí)的結(jié)至環(huán)境熱阻 (RθJA) 為 22.2°C/W。
假設(shè)環(huán)境溫度為 25°C，則采用 DDW 封裝時(shí)的結(jié)溫計(jì)算如下：
如節(jié) 8.2.4.2中所述，如需更準(zhǔn)確地計(jì)算該值，請(qǐng)考慮器件結(jié)溫對(duì) FET 導(dǎo)通電阻的影響，如節(jié) 6.6所示。
例如，
在 99 °C 結(jié)溫下，與 25°C 時(shí)的導(dǎo)通電阻相比，導(dǎo)通電阻可能會(huì)增加 1.25 倍。
導(dǎo)通損耗的初始估算值為 2.5W。
因此，導(dǎo)通損耗的新估算值為 2.5W × 1.25 = 3.125W。
因此，總功率損耗的新估算值為 3.957W。
采用 DDW 封裝時(shí)的結(jié)溫新估算值為 112.8 °C。
如進(jìn)行進(jìn)一步的迭代，則不太可能顯著增加結(jié)溫估算值。
使用 DDV 封裝時(shí)，如果選擇熱阻小于 4°C/W 的散熱器，則結(jié)至環(huán)境熱阻可低于 5°C/W。因此，在此應(yīng)用中，采用 DDV 封裝時(shí)的結(jié)溫的初始估算值為：
由于 DDV 封裝會(huì)產(chǎn)生低熱阻，因此它可以提供 10A 滿量程電流。