ZHCSXG8A September 2024 – March 2025 DRV81602-Q1
PRODUCTION DATA
DRV81602-Q1 是一款八通道可配置低側(cè)開關(guān)。功率級(jí)由 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建。導(dǎo)通狀態(tài)電阻 RDS(on) 取決于電源電壓以及結(jié)溫 TJ。
有六個(gè)自動(dòng)可配置通道，它們可用作低側(cè)開關(guān)或高側(cè)開關(guān)。通道根據(jù)漏極和源極處的通道電勢(shì)自動(dòng)調(diào)整診斷和保護(hù)功能。對(duì)于這些通道，電荷泵連接到輸出 MOSFET 柵極。
在高側(cè)配置中，負(fù)載連接在 FET 的接地端和源極（引腳 OUTx_S、n = 2...7）之間。FET 的漏極（OUTx_D，“x”等于可配置通道編號(hào)）可以連接到接地和 VM 之間的任何電位。當(dāng)漏極連接到 VM 時(shí)，通道的行為類似于高側(cè)開關(guān)。
在低側(cè)配置中，功率晶體管的源極必須連接到 GND 引腳電勢(shì)（直接或通過(guò)反向電流阻斷二極管）。
可以分別為這些通道中的每個(gè)通道選擇配置，因此可以在低側(cè)配置中連接一個(gè)或多個(gè)通道，同時(shí)將剩余的自動(dòng)可配置通道用作高側(cè)開關(guān)。