對(duì)于本示例，請(qǐng)遵循以下準(zhǔn)則：
- 使用 GND 屏蔽隔離輸入和輸出。圖 8-5 將所有輸入和輸出作為差分對(duì)進(jìn)行路由。
- 生成多個(gè)頻率時(shí)將輸出與相鄰輸出相隔離。
- 隔離晶體區(qū)域，連接晶體封裝的 GND 焊盤(pán)并淹沒(méi)相鄰區(qū)域。圖 8-6 展示了支持多種晶體尺寸的封裝。
- 盡可能避免扇入和扇出區(qū)域的阻抗跳躍。
- 使用五個(gè)過(guò)孔將散熱焊盤(pán)連接到一個(gè)實(shí)心 GND 平面。最好使用全通過(guò)孔。
- 將具有小電容值的去耦電容器放置在非?？拷娫匆_的位置。嘗試將這些電容器非?？拷胤胖迷谕粚由匣蛑苯臃胖迷诒趁鎸由稀Ｖ翟酱?，可以放置得越遠(yuǎn)。圖 8-6 展示了靠近器件的三個(gè)去耦電容器。建議使用鐵氧體磁珠來(lái)隔離不同的頻域和 VDD_VCO 域。
- 最好使用多個(gè)過(guò)孔將寬電源引線連接到相應(yīng)的電源平面。