ZHCSU54 December 2023 BQ77307
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V(CV_ACC) | 電芯過壓 (COV) 和欠壓 (CUV) 保護(hù)閾值電壓精度(2) | 0V < VVC(x) - VVC(x-1) < 4.5V，TA = 25°C，1 ≤ x ≤ 7，使用 10Ω 和 220nF 的輸入網(wǎng)絡(luò) | -4 | 4 | mV | |
| 0V < VVC(x) - VVC(x-1) < 4.5V，TA = –20°C 至 65°C，1 ≤ x ≤ 7，使用 10Ω 和 220nF 的輸入網(wǎng)絡(luò) | –8 | 7 | mV | |||
| 0V < VVC(x) - VVC(x-1) < 4.5V，TA = –40°C 至 110°C，1 ≤ x ≤ 7，使用 10Ω 和 220nF 的輸入網(wǎng)絡(luò) | -10 | 10 | mV | |||
| 0V < VVC(x) - VVC(x-1) < 5.5V，TA = –40°C 至 110°C，1 ≤ x ≤ 7，使用 10Ω 和 220nF 的輸入網(wǎng)絡(luò) | –13 | 12 | mV | |||
| V(CV_DLY) | 電芯過壓 (COV) 和欠壓 (CUV) 檢測延遲精度(1) | 延遲誤差與標(biāo)稱延遲設(shè)置間的關(guān)系 | -5% | 5% | ||
| V(TS_ACC) | 熱敏電阻溫度保護(hù)閾值精度(2) | 閾值誤差與標(biāo)稱設(shè)置間的關(guān)系，閾值根據(jù) VTS / VREG18 設(shè)定。 | -2% | 2% | ||
| V(TS_DLY) | 熱敏電阻溫度保護(hù)延遲精度(2) | 延遲誤差與標(biāo)稱設(shè)置間的關(guān)系 | -5% | 5% | ||
| V(TINT_ACC) | 內(nèi)部溫度保護(hù)閾值精度(2) | 閾值誤差與標(biāo)稱設(shè)置間的關(guān)系，TA = –20°C 至 65°C | -5.8 | 5.0 | ℃ | |
| 閾值誤差與標(biāo)稱設(shè)置間的關(guān)系，TA = –40°C 至 110°C | -7.8 | 5.3 | ℃ | |||
| V(SCD) | 放電短路電壓閾值范圍 | 標(biāo)稱設(shè)置，閾值基于 VSRP – VSRN | –10、 –20、 –40、 –60、 –80、 –100、 –125、 –150、 –175、 –200、 –250、 –300、 –350、 –400、 –450、 –500 |
mV | ||
| V(SCD_ACC) | 放電短路電壓閾值檢測精度 (2) | –10mV 設(shè)置 | –36% | 22% | ||
| –20mV 設(shè)置 | –19% | 12% | ||||
| –40mV 設(shè)置 | –14% | 6% | ||||
| 設(shè)置 –60mV 至 -500 mV | -11% | 6% | ||||
| V(SCD_DLY) | 放電短路檢測延遲(1) | 最快設(shè)置（具有 3mV 過驅(qū)） | 8 | μs | ||
| 最快設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 0.6 | μs | ||||
| 15μs 的設(shè)置（具有 3mV 過驅(qū)） | 20 | 28 | μs | |||
| 15μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 20 | μs | ||||
| 31μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 14 | 35 | μs | |||
| 61μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 42 | 66 | μs | |||
| 122μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 102 | 130 | μs | |||
| 244μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 218 | 258 | μs | |||
| 488μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 452 | 510 | μs | |||
| 977μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 920 | 1018 | μs | |||
| 1953μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 1860 | 2034 | μs | |||
| 3906μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 3735 | 4065 | μs | |||
| 7797μs 的設(shè)置（具有 25mV 過驅(qū)） | 7470 | 8112 | μs | |||
| V(OCC) | 充電過流 (OCC) 電壓閾值范圍 | 標(biāo)稱設(shè)置，閾值基于 VSRP – VSRN | 3mV 至 123mV（步長為 2mV） | mV | ||
| V(OCC_ACC) | 充電過流 (OCC) 電壓閾值精度 (2) | 設(shè)置 3mV 至 19mV | -1.17 | 1.32 | mV | |
| V(OCC_ACC) | 充電過流 (OCC) 電壓閾值精度 (2) | 設(shè)置 21mV 至 55mV | -1.68 | 2.99 | mV | |
| V(OCC_ACC) | 充電過流 (OCC) 電壓閾值精度 (2) | 設(shè)置 57mV 至 123mV | -1.61 | 4.10 | mV | |
| V(OCD) | 放電過流（OCD1、OCD2）電壓閾值范圍 | 標(biāo)稱設(shè)置，閾值基于 VSRP – VSRN | -4mV 至 -200mV（步長為 2mV） | mV | ||
| V(OCD_ACC) | 過流（OCD1、OCD2）檢測電壓閾值精度 (2) | 設(shè)置 -4 mV 至 -18 mV | –1.23 | 0.84 | mV | |
| 設(shè)置 -20 mV 至 -56 mV | -2.84 | 1.59 | mV | |||
| 設(shè)置 -58 mV 至 -100 mV | -2.15 | 2.58 | mV | |||
| 設(shè)置 -102 mV 至 -200 mV | -2,86 | 4,19 | mV | |||
| V(OC_DLY) | 過流（OCC、OCD1、OCD2）檢測延遲（每個保護(hù)均具有獨立的延遲設(shè)置） | 最快設(shè)置 | 0.46 | ms | ||
| 標(biāo)稱設(shè)置，低范圍 | 1.22ms 至 20.435ms，以 0.305ms 為步長 | ms | ||||
| 標(biāo)稱設(shè)置，中低范圍 | 22.875ms 至 176.595ms，以 2.441ms 為步長 | ms | ||||
| 標(biāo)稱設(shè)置，中高范圍 | 181.475ms 至 488.915ms，以 4.883ms 為步長 | ms | ||||
| 標(biāo)稱設(shè)置，高范圍 | 498.675ms 至 1103.795ms，以 9.766ms 為步長 | ms | ||||
| V(OC_DLY) | 過流（OCC、OCD1、OCD2）檢測延遲精度(1) | 最快設(shè)置 | -0.35 | 0.35 | ms | |
| 標(biāo)稱設(shè)置，低范圍 | -1.2 | 0.90 | ms | |||
| 標(biāo)稱設(shè)置，中低范圍 | –7.5 | 7.2 | ms | |||
| 標(biāo)稱設(shè)置，中高范圍 | -20 | 20 | ms | |||
| 標(biāo)稱設(shè)置，高范圍 | –45 | 45 | ms | |||