BQ77307 集成了低側(cè) CHG 和 DSG FET 驅(qū)動(dòng)器，這些驅(qū)動(dòng)器可直接驅(qū)動(dòng)低側(cè)保護(hù) NFET 晶體管。該器件支持串聯(lián)和并聯(lián) FET 配置，當(dāng)配置為串聯(lián) FET 配置時(shí)，如果一個(gè) FET 驅(qū)動(dòng)器打開而另一個(gè) FET 驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉，可提供 FET 體二極管保護(hù)。當(dāng)體二極管保護(hù)已啟用時(shí)，如果電池包在存在放電禁止故障條件時(shí)充電，則可以打開 DSG 驅(qū)動(dòng)器，以防止損壞 FET。同樣，如果電池包在存在充電禁止故障條件時(shí)放電，則可以打開 CHG 驅(qū)動(dòng)器。這些決策取決于對(duì)絕對(duì)值超過可編程體二極管閾值的電流的檢測(cè)。

當(dāng)未被命令阻止并且不存在相關(guān)故障（例如 UV、OTD、UTD、OCD1、OCD2、SCD 和選擇診斷）時(shí)，DSG 引腳會(huì)被驅(qū)動(dòng)為高電平，這種配置用于實(shí)現(xiàn)自主控制或用于體二極管保護(hù)?？梢酝ㄟ^命令強(qiáng)制啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器，但只有配置設(shè)置允許時(shí)，該命令才能生效。

DSG 驅(qū)動(dòng)器旨在允許用戶選擇 DSG 引腳和 DSG FET 柵極之間的最佳串聯(lián)電阻，以根據(jù)應(yīng)用要求和 FET 特性選擇實(shí)現(xiàn)所需的 FET 上升和下降時(shí)間。當(dāng) DSG FET 關(guān)斷時(shí)，DSG 引腳會(huì)驅(qū)動(dòng)為低電平，并會(huì)禁用所有放電過流保（OCD1、OCD2、SCD），以便更好地節(jié)省功耗。這些操作會(huì)在 DSG FET 開啟時(shí)恢復(fù)運(yùn)行。器件配置設(shè)置決定哪種保護(hù)將自主控制相應(yīng)的 FET 驅(qū)動(dòng)器。

僅當(dāng)未被命令阻止并且不存在相關(guān)故障（OV、OTC、UTC、OCC、SCD 和選擇診斷）時(shí)，CHG 引腳才會(huì)被驅(qū)動(dòng)為高電平，這種配置用于實(shí)現(xiàn)自主控制或用于體二極管保護(hù)?？梢酝ㄟ^命令強(qiáng)制啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器，但只有配置設(shè)置允許時(shí)，該命令才能生效。關(guān)斷 CHG 引腳不影響過流保護(hù)電路。CHG FET 驅(qū)動(dòng)器在啟用時(shí)主動(dòng)將 CHG 引腳驅(qū)動(dòng)為高電平，并在禁用時(shí)主動(dòng)將該引腳驅(qū)動(dòng)為低電平，使其在大約 100μs 的時(shí)間內(nèi)比 VSS 電壓高大約 0.5V，然后允許該引腳通過外部 CHG FET 柵源電阻器穩(wěn)定到 PACK- 電壓。如果在禁用 CHG FET 的情況下將充電器連接到電池包，則根據(jù)器件的電氣規(guī)格，CHG 引腳可降至比器件 VSS 低 25V 的電壓。由于 CHG 會(huì)在 100μs 的時(shí)間間隔期間主動(dòng)拉至低電平，CHG 驅(qū)動(dòng)電路（由驅(qū)動(dòng)器有效電阻、CHG 引腳和 CHG FET 柵極之間的任何串聯(lián)電阻和 FET 柵極電容組成）的時(shí)間常數(shù)應(yīng)保持遠(yuǎn)低于此水平。