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ZHCSW11C November 2024 – September 2025 BQ27Z758

PRODUCTION DATA

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

YAH|15

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

6.4 器件功能模式

該器件支持五種模式，但根據(jù)特定功能的固件控制和運(yùn)行模式，電流消耗會(huì)有所不同：

NORMAL 模式：在此模式下，器件以 250ms 的間隔執(zhí)行測(cè)量、計(jì)算、保護(hù)和數(shù)據(jù)更新。在這些間隔之間，該器件在更低的功率級(jí)下運(yùn)行，以盡可能減少總平均電流消耗。電池保護(hù)受到持續(xù)監(jiān)測(cè)，并且兩個(gè)保護(hù) NFET 通常都會(huì)導(dǎo)通。
SLEEP 模式：在此模式下，器件以可調(diào)節(jié)的時(shí)間間隔執(zhí)行測(cè)量、計(jì)算和數(shù)據(jù)更新。在這些間隔之間，該器件在更低的功率級(jí)下運(yùn)行，以盡可能減少總平均電流消耗。電池保護(hù)受到持續(xù)監(jiān)測(cè)，并且兩個(gè)保護(hù) NFET 通常都會(huì)導(dǎo)通。
SHIP 模式：在該模式下，該器件以極低頻率測(cè)量電壓和溫度，ADC 轉(zhuǎn)換時(shí)間較短，同時(shí)不會(huì)測(cè)量電流或執(zhí)行庫(kù)侖計(jì)數(shù)。電流假定并報(bào)告為 0mA。因此，該器件通過(guò) OCV 跟蹤電池的充電狀態(tài)。每個(gè)間隔執(zhí)行的測(cè)量為電芯電壓、溫度和電池包電壓（每四個(gè)間隔一次）?？赏ㄟ^(guò)減少計(jì)算次數(shù)來(lái)更大限度地減少處理。一些計(jì)算的執(zhí)行頻率較低：僅在測(cè)量電壓和溫度后執(zhí)行。這些不太頻繁的計(jì)算包括更新基于固件的保護(hù)、壽命數(shù)據(jù)以及高級(jí)充電算法的電壓和溫度范圍。假定系統(tǒng)處于關(guān)閉狀態(tài)且不會(huì)與電量監(jiān)測(cè)計(jì)進(jìn)行通信，其他計(jì)算，例如更新 RemainingCapacity() 和 FullChargeCapacity()，將完全停止。電池保護(hù)受到持續(xù)監(jiān)測(cè)，并且兩個(gè)保護(hù) NFET 通常都會(huì)導(dǎo)通。
SHELF 模式：在此模式下，通過(guò)關(guān)閉 CHG 和 DSG NFET 以及所有基于硬件的保護(hù)，可以在 SHIP 模式下進(jìn)一步降低功耗。因此，在 SHELF 模式下，系統(tǒng)不提供外部電源。該器件以極低頻率測(cè)量電壓和溫度，ADC 轉(zhuǎn)換時(shí)間較短，同時(shí)不會(huì)測(cè)量電流或執(zhí)行庫(kù)侖計(jì)數(shù)。電流假定并報(bào)告為 0mA。因此，該器件通過(guò)電壓測(cè)量來(lái)跟蹤電池的充電狀態(tài)。每個(gè)間隔執(zhí)行的測(cè)量為電芯電壓、溫度和電池包電壓（每四個(gè)間隔一次）?？赏ㄟ^(guò)減少計(jì)算次數(shù)來(lái)更大限度地減少處理。一些計(jì)算的執(zhí)行頻率較低：僅在測(cè)量電壓和溫度后執(zhí)行。這些不太頻繁的計(jì)算包括更新基于固件的保護(hù)、壽命數(shù)據(jù)以及高級(jí)充電算法的電壓和溫度范圍。假定系統(tǒng)處于關(guān)閉狀態(tài)且不會(huì)與電量監(jiān)測(cè)計(jì)進(jìn)行通信，其他計(jì)算，例如更新 RemainingCapacity() 和 FullChargeCapacity()，將完全停止。
SHUTDOWN 模式：在此模式下，器件完全禁用，從而更大限度地降低功耗并避免消耗電池電量。